
SISS65DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISS65DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISS65DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISS65DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS65DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 25,9 A (Ta), 94 A (Tc) 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS65DN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 30 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 4,6mohms à 15A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,3V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 138 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5,1W (Ta), 65,8W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8S | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,11000 € | 1,11 € |
| 10 | 0,69700 € | 6,97 € |
| 100 | 0,46020 € | 46,02 € |
| 500 | 0,35852 € | 179,26 € |
| 1 000 | 0,32578 € | 325,78 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,28421 € | 852,63 € |
| 6 000 | 0,26328 € | 1 579,68 € |
| 9 000 | 0,25262 € | 2 273,58 € |
| 15 000 | 0,24594 € | 3 689,10 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,11000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,33200 € |









