Name: SI4143DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4143DY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.524 EUR
Availability: InStock

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SI4143DY-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI4143DY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI4143DY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4143DY-T1-GE3
Description	MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 25,3 A (Tc) 6W (Tc) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4143DY-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 167 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±25V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6630 pF @ 15 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 6W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TA)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25,3 A (Tc)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base SI4143
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,2mohms à 12A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine