Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	124 660 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03506 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	75 624 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04959 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	63 393 En stock	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05318 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	51 381 En stock	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03779 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	106 846 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05786 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	12pF à 10V	300mW	150°C	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	1 027 446 En stock 4 521 000 Usine	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05456 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
DMC2400UV-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT563 Diodes Incorporated	38 036 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06131 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,03A, 700 mA	480mohms à 200mA, 5V	900mV à 250µA	0,5nC à 4,5V	37,1pF à 10V	450mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	34 682 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07520 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	115mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	41 783 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06821 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
DMP3085LSD-13 MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO Diodes Incorporated	178 638 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,07381 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	30V	3,9A	70mohms à 5,3A, 10V	3V à 250µA	11nC à 10V	563pF à 25V	1,1W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)	8-SO
PMDXB600UNEZ MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN Nexperia USA Inc.	2 811 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 5 000 : 0,06493 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Bande coupée (CT) Digi-Reel® Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	600mA	620mohms à 600mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,7nC à 4,5V	21,3pF à 10V	265mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-XFDFN plot exposé	DFN1010B-6
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	655 713 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06336 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	162 067 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,06324 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	41 759 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06582 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	28 205 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17227 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	3,7A	58mohms à 3,4A, 10V	2,2V à 250µA	6nC à 10V	235pF à 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	6-TSOP
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	12 174 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07587 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	89 746 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06908 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	34 068 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07921 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	20V	5A, 4A	38mohms à 4,5A, 4,5V, 90mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	11nC à 4,5V, 12nC à 2,5V	800pF, 405pF à 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-23-6L
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	33 927 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07393 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohms à 3,4A, 10V	1,5V à 250µA	12,3nC à 10V	422pF à 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	22 321 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07692 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	79 627 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07954 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	34 893 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08307 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	610mA (Ta)	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 8V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	30 746 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07933 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	260mohms à 880mA, 4,5V	1,2V à 250µA	2,2nC à 4,5V	155pF à 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	156 198 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07007 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	6 643 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08640 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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