Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	54 837 En stock	1 : 0,19000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03697 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	1 998 En stock	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04706 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	134 807 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05009 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	50 462 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05446 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6N37FU,LF MOSFET 2N-CH 20V 0.25A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	124 867 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05512 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	250mA (Ta)	2,2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 1mA	-	12pF à 10V	300mW	150°C	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	74 716 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05311 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SSM6N44FE,LM MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	98 345 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06730 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	100mA	4ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	-	8,5pF à 3V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
SSM6L36FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	10 119 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07012 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	500mA, 330mA	630mohms à 200mA, 5V	1V à 1mA	1,23nC à 4V	46pF à 10V	150mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
DMG1016UDW-7 MOSFET N/P-CH 20V SOT363 Diodes Incorporated	33 445 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06618 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,07A, 845mA	450mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 10V	330mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	62 362 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08071 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	115mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	2 207 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07697 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	737 112 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06632 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	73 285 En stock 576 000 Usine	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06517 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	2 034 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,07343 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	1 354 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06618 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	22 258 En stock	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09433 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	610mA (Ta)	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 8V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	383 715 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07592 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
SSM6L09FUTE85LF MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	54 290 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08522 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	400mA, 200mA	700mohms à 200mA, 10V	1,8V à 100µA	-	20pF à 5V	300mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	22 970 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08422 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
MCM3400A-TP MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN MCC (Micro Commercial Components)	87 884 En stock	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09433 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N	-	30V	5A	32mohms à 5,8A, 10V	1,5V à 250µA	-	1155pF à 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VDFN plot exposé	DFN2020-6L
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	37 311 En stock	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,09189 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	-	20V	430mA	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	175pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	68 372 En stock	1 : 0,47000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,09289 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	800mA	380mohms à 500mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,68nC à 4,5V	83pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
SIA931DJ-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8 Vishay Siliconix	34 847 En stock	1 : 0,47000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,15316 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	30V	4,5A	65mohms à 3A, 10V	2,2V à 250µA	13nC à 10V	445pF à 15V	7,8W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SC-70-6 double	PowerPAK® SC-70-6 double
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	38 884 En stock	1 : 0,48000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09623 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMC3071LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 4.6A TSOT26 Diodes Incorporated	8 158 En stock	1 : 0,49000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09523 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canal N et P, complémentaire	-	30V	4,6A (Ta), 3,3A (Ta)	50mohms à 3,5A, 10V, 95mohms à 3,8A, 10V	2,5V à 250µA	4,5nC à 10V, 6,5nC à 10V	190pF à 15V, 254pF à 15V	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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