Matrices de FET, MOSFET

Résultats : 5 643
Fabricant
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCEPC Space, LLC
Série
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBoîteDigi-Reel®En vracPlateauTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Technologies
-Carbure de silicium (SiC)GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiCFET (carbure de silicium)
Configuration
2 canaux N (bras de phase)2 canaux N (cascode)2 canaux N (demi-pont)2 canaux N (double)2 canaux N (double), canal P2 canaux N (double), schottky2 canaux N (dévolteur double à découpage)2 canaux N et 2 canaux P (pont complet)2 canaux N et 2 canaux P2 canaux N, drain commun2 canaux P (demi-pont)2 canaux P (double)
Fonction FET
-Carbure de silicium (SiC)Mode de déplétionPorte de niveau logiquePorte de niveau logique, attaque 5VPorte de niveau logique, attaque 0,9VPorte de niveau logique, attaque 1,2VPorte de niveau logique, attaque 1,5VPorte de niveau logique, attaque 1,8VPorte de niveau logique, attaque 10VPorte de niveau logique, attaque 2,5VPorte de niveau logique, attaque 4,5VPorte de niveau logique, attaque 4V
Tension drain-source (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,46mohms à 160A, 12V0,762mohms à 160A, 12V0,765mohms à 160A, 12V, 0,580mohms à 160A, 12V0,765mohms à 160A, 12V, 0,710mohms à 160A, 12V0,8mohms à 1200A, 10V0,88mohms à 160A, 14V, 0,71mohms à 160A, 14V0,88mohms à 50A, 10V0,95mohms à 30A, 10V0,95mohms à 8A, 4,5V0,99mohms à 80A, 10V, 1,35mohms à 80A, 10V1,039mohms à 160A, 12V, 762µohms à 160A, 12V1,2mohms à 800A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
10mV à 10µA10mV à 1µA10mV à 20µA20mV à 10µA20mV à 1µA20mV à 20µA180mV à 1µA200mV à 2,8A, 200mV à 1,9A220mV à 1µA360mV à 1µA380mV à 1µA400mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0,4pC à 4,5V, 7,3nC à 4,5V0,45 pC à 4,5V0,16nC à 5V, 0,044nC à 5V0,22nC à 5V, 0,044nC à 5V0,26nC à 2,5V0,28nC à 4,5V0,28nC à 4,5V, 0,3nC à 4,5V0,3nC à 4,5V0,3nC à 4,5V, 0,28nC à 4,5V0,304nC à 4,5V0,31nC à 4,5V0,32nC à 4,5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2,5pF à 5V3pF à 5V5pF à 3V6pF à 3V6,2pF à 10V6,6pF à 10V7pF à 10V7pF à 3V7,1pF à 10V7,4pF à 10V7,5pF à 10V8,5pF à 3V
Puissance - Max.
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C (Tc)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 155°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 125°C (TA)
Grade
-AutomobileMilitaire
Qualification
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier
4-SMD, sans plomb4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-VFDFN plot exposé4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA
Boîtier fournisseur
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,2x1,2)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Options de stockage
Options environnementales
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PRODUIT MARKETPLACE
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Technologies
Configuration
Fonction FET
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
358 331
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05398 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 0,9V50V200mA2,2ohms à 200mA, 4,5V800mV à 1mA-26pF à 10V120mW150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
176 385
En stock
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05685 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-60V230mA7,5ohms à 50mA, 5V2V à 250µA-50pF à 25V310mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 363
DMC2004DWK-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
259 137
En stock
135 000
Usine
1 : 0,32000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09696 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique20V540mA, 430mA550mohms à 540mA, 4,5V1V à 250µA-150pF à 16V250mW-65°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71 822
En stock
1 : 0,32000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08758 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique20V610mA (Ta)396mohms à 500mA, 4,5V1V à 250µA2nC à 8V43pF à 10V220mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
59 467
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08903 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-30V250mA1,5ohms à 10mA, 4V1,5V à 100µA1,3nC à 5V33pF à 5V272mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
28 469
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05959 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V320mA1,6ohms à 500mA, 10V2,4V à 250µA0,8nC à 4,5V50pF à 10V420mW150°C (TJ)AutomobileAEC-Q100Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
360 100
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06136 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 1,5V20V250mA (Ta)2,2ohms à 100mA, 4,5V1V à 1mA-12pF à 10V300mW150°C--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
251 507
En stock
20 000
Usine
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,09195 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique30V3,9A70mohms à 5,3A, 10V3V à 250µA11nC à 10V563pF à 25V1,1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
100 212
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,07508 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique, attaque 0,9V50V200mA2,2ohms à 200mA, 4,5V800mV à 1mA-26pF à 10V120mW150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
56 437
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07896 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V3,8 A, 2,5 A55mohms à 3,4A, 10V1,5V à 250µA12,3nC à 10V422pF à 15V850mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-6 mince, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
30 074
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,09750 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique20V540mA, 430mA550mohms à 540mA, 4,5V1V à 250µA2,5nC à 4,5V150pF à 16V250mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
441 382
En stock
1 218 000
Usine
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09969 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique60V500mA, 360mA1,7ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0,3nC à 4,5V30pF à 25V, 25pF à 25V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
170 829
En stock
2 676 000
Usine
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06641 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique20V1,03A, 700 mA480mohms à 200mA, 5V900mV à 250µA0,5nC à 4,5V37,1pF à 10V450mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
65 825
En stock
342 000
Usine
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09969 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-60V280mA7,5ohms à 50mA, 5V2,5V à 250µA-50pF à 25V150mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
51 992
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09954 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N-30V5A32mohms à 5,8A, 10V1,5V à 250µA-1155pF à 15V1,4W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-VDFN plot exposéDFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
29 681
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12381 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V370mA1,4ohms à 340mA, 10V2,5V à 250µA1,4nC à 10V18,5pF à 30V510mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
25 936
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12573 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)-30V6,2A30mohms à 5,8A, 10V2V à 250µA10,6nC à 10V500pF à 15V1W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-UDFN plot exposéU-DFN2020-6 (Type B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
104 817
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06821 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V300mA3ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0,6nC à 10V20pF à 25V500mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
68 917
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,06858 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique30V100mA4ohms à 10mA, 4V1,5V à 100µA-8,5pF à 3V150mW150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-563, SOT-666ES6
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
65 887
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06758 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux P (double)Porte de niveau logique50V160mA7,5ohms à 100mA, 10V2,1V à 250µA0,35nC à 5V36pF à 25V445mW-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1 889
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10217 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canaux N et PPorte de niveau logique30V700mA, 500mA388mohms à 600mA, 10V2,5V à 250µA1,5nC à 10V28pF à 15V340mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348 978
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06932 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V320mA1,6ohms à 300mA, 10V1,5V à 250µA0,8nC à 4,5V50pF à 10V420mW150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
256 910
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07047 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique60V300mA (Ta)1,6ohms à 500mA, 10V2,1V à 250µA0,6nC à 4,5V50pF à 10V295mW150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surface6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
173 198
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13206 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)Canal N et canal P, drain communPorte de niveau logique30V6 A, 5,5 A30mohms à 6A, 10V2,4V à 250µA6,3nC à 10V310pF à 15V2W-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surface8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)8-SOIC
SG6858TZ
NDC7002N
MOSFET 2N-CH 50V 0.51A SSOT6
onsemi
107 740
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12986 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifMOSFET (oxyde métallique)2 canaux N (double)Porte de niveau logique50V510mA2ohms à 510mA, 10V2,5V à 250µA1nC à 10V20pF à 25V700mW-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-6 mince, TSOT-23-6SuperSOT™-6
Affichage de
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Matrices de FET, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.