FET, MOSFET simples

Résultats : 41 313
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDBruckewellCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCharter Engineering Inc.Coherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPC
Série
-*2N7002KAlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7Automotive, AEC-Q101, UltraFET™BSS
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBande et boîteBarrette de connexionBoîteDigi-Reel®En vracPlateauSacTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
-Canal NCanal P
Technologies
-GaNFET (FET au nitrure de gallium cascode)GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)SiCFET (carbure de silicium)SiCFET (cascode SiCJFET)
Tension drain-source (Vdss)
-60 V-40 V-30 V-20 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)30mA34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
0V0V, 10V0V, 18V0V, 6V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,29mohms à 50A, 10V0,3mohms à 200A, 10V0,35mohms à 50A, 10V0,4 mohms à 50A, 10V0,4mohms à 150A, 10V0,4mohms à 30A, 10V0,42mohms à 50A, 10V0,44mohms à 88A, 10V0,45mohms à 30A, 10V0,45mohms à 30A, 7V0,45mohms à 50A, 10V0,45mohms à 60A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
-2.5V @ 250µA-2.0V @ 250µA-1.2V @ -250µA-1V à -250µA0,4V à 250µA400mV à 1mA (min)400mV à 250µA (min)450mV à 100µA (min)450mV à 1mA (min)450mV à 250µA (min)450mV à 2mA (min)500mV à 250µA (min)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (max.)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2.195 pF @ 15 V3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6 pF @ 3 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 10 V
Fonction FET
-Diode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)Diode de détection de températureDétection de courantMode de déplétion
Dissipation de puissance (max.)
400µW (Ta)400µW100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-65°C ~ 175°C (TJ)-60°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 100°C-55°C ~ 110°C (TA)-55°C ~ 125°C (TA)-55°C ~ 125°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 135°C (TJ)-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C
Grade
-AutomobileMilitaire
Qualification
-AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier fournisseur
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Boîtier
2-DFN Piazzola esposta3-DFN plot exposé3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, broches plates3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, SOT-23-3 variable3-SMD, broches plates3-SMD, broches plates
Options de stockage
Options environnementales
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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
30 899
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02719 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V190mA (Ta), 300mA (Tc)5V, 10V4,5ohms à 100mA, 10V2,1V à 250µA0.43 nC @ 4.5 V±20V20 pF @ 10 V-265mW (Ta), 1,33W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
585 599
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03129 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V115mA (Ta)5V, 10V7,5ohms à 50mA, 5V2,5V à 250µA-±20V50 pF @ 25 V-370mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
30 585
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03257 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)50 V200mA (Ta)10V3,5ohms à 220mA, 10V1,5V à 250µA-±20V50 pF @ 10 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
0
En stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03360 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V320mA (Ta)4,5V, 10V1,6ohms à 500mA, 10V2,3V à 250µA0.7 nC @ 4.5 V±20V24.5 pF @ 20 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 489 260
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03504 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)20 V200mA (Ta)1,2V, 2,5V1,2ohms à 100mA, 2,5V1V à 1mA-±8V25 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montage en surfaceEMT3F (SOT-416FL)SC-89, SOT-490
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
699 824
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03525 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal PMOSFET (oxyde métallique)50 V180mA (Ta)10V7,5ohms à 100mA, 10V2,1V à 250µA0.35 nC @ 5 V±20V36 pF @ 25 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
494 388
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03648 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohms à 240mA, 10V2,5V à 250µA0.81 nC @ 5 V±20V26.7 pF @ 25 V-300mW (Tj)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1 195 983
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,02917 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V360mA (Ta)10V1,6ohms à 500mA, 10V2,4V à 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
678 507
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03790 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V360mA (Ta)10V1,6ohms à 500mA, 10V2,4V à 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
532 804
En stock
75 000
Usine
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03689 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)30 V350mA (Ta)2,5V, 10V2,8ohms à 250mA, 10V1,5V à 250µA0.9 nC @ 10 V±20V23.2 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
464 735
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03792 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal PMOSFET (oxyde métallique)50 V130mA (Ta)5V10ohms à 100mA, 5V2V à 1mA-±20V45 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
61 555
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,02854 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V400mA (Ta)4,5V, 10V1,5ohms à 100mA, 10V2,1V à 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V40 pF @ 10 V-500mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceCST3SC-101, SOT-883
SOT 23-3
NTR5103NT1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
6 124
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03689 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V260mA (Ta)4,5V, 10V2,5ohms à 240mA, 10V2,6V à 250µA0.81 nC @ 5 V±30V40 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
4 906 227
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04186 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)20 V800mA (Ta)1,5V, 4,5V235mohms à 800mA, 4,5V1V à 1mA1 nC @ 4.5 V±8V55 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montage en surfaceSSMSC-75, SOT-416
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
851 742
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03873 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V360mA (Ta)10V1,6ohms à 300mA, 10V1,5V à 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-350mW (Ta), 1,14W (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
836 119
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03916 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)50 V200mA (Ta)0,9V, 4,5V2,2ohms à 200mA, 4,5V800mV à 1mA-±8V26 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montage en surfaceUMT3FSC-85
SOT-23-3
AO3416
MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
793 736
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06926 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsCanal NMOSFET (oxyde métallique)20 V6,5 A (Ta)1,8V, 4,5V22mohms à 6,5A, 4,5V1V à 250µA16 nC @ 4.5 V±8V1160 pF @ 10 V-1,4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variable
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
20 758
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,03139 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V350mA (Ta)5V, 10V2,8ohms à 200mA, 10V2,1V à 250µA1 nC @ 10 V±20V23.6 pF @ 10 V-350mW (Ta), 3,1 W (Tc)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-883SC-101, SOT-883
TO-236AB
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
838 852
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04182 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V350mA (Ta)10V1,6ohms à 500mA, 10V2,1V à 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-370mW (Ta)150°C (TJ)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceTO-236ABTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
731 313
En stock
Ce produit a une limite d'achat maximum
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03898 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)20 V100mA (Ta)1,2V, 4,5V3,5ohms à 100mA, 4,5V1V à 100µA-±8V7.1 pF @ 10 V-150mW (Ta)150°C (TJ)--Montage en surfaceVMT3SOT-723
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262 120
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04122 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)100 V170mA (Ta)10V6ohms à 170mA, 10V2V à 1mA-±20V60 pF @ 25 V-300mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
104 723
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04164 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V115mA (Tc)5V, 10V7,5ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA-±20V50 pF @ 25 V-225mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
AO3421E
MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
1 127 176
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05633 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Pas pour les nouvelles conceptionsCanal PMOSFET (oxyde métallique)30 V3 A (Ta)4,5V, 10V95mohms à 3A, 10V2,5V à 250µA8 nC @ 10 V±20V215 pF @ 15 V-1,4W (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-33-SMD, SOT-23-3 variable
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
977 521
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04390 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V320mA (Ta)10V1,6ohms à 300mA, 10V1,5V à 250µA0.8 nC @ 4.5 V±20V50 pF @ 10 V-260mW (Ta), 830mW (Tc)-55°C ~ 150°C (TA)AutomobileAEC-Q101Montage en surfaceSOT-323SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
859 393
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Bande coupée (CT)
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Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
ActifCanal NMOSFET (oxyde métallique)60 V300mA (Ta)4,5V, 10V2ohms à 500mA, 10V2,5V à 250µA0.6 nC @ 4.5 V±20V30 pF @ 25 V-350mW (Ta)-55°C ~ 150°C (TJ)--Montage en surfaceSOT-23-3 (TO-236)TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.