
SIS427EDN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS427EDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS427EDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS427EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS427EDN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS427EDN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1930 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 10,6mohms à 11A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,99000 € | 0,99 € |
| 10 | 0,61800 € | 6,18 € |
| 100 | 0,40460 € | 40,46 € |
| 500 | 0,31284 € | 156,42 € |
| 1 000 | 0,28331 € | 283,31 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,24577 € | 737,31 € |
| 6 000 | 0,22688 € | 1 361,28 € |
| 9 000 | 0,21725 € | 1 955,25 € |
| 15 000 | 0,20644 € | 3 096,60 € |
| 21 000 | 0,20003 € | 4 200,63 € |
| 30 000 | 0,19381 € | 5 814,30 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,99000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,18800 € |










