Vishay Siliconix FET, MOSFET simples

Résultats : 4 719
Série
-*DEEFELFETKY™HEXFET®LITTLE FOOT®SSkyFET®, TrenchFET®SkyFET®, TrenchFET® Gen III
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBarrette de connexionDigi-Reel®En vracTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
-Canal NCanal P
Technologies
-MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
8 V12 V16 V20 V22 V25 V30 V40 V45 V50 V55 V60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
50mA (Ta)115mA (Ta)140mA (Ta)155mA (Ta)185mA (Ta)190mA (Ta)200mA (Ta)240mA (Ta)270mA (Ta)300mA (Ta)320mA (Ta)320mA (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,2V, 4,5V1,5V1,5V, 3,7V1,5V, 4,5V1,7V, 4,5V1,8V, 4,5V2V, 4,5V2,5V, 10V2,5V, 4,5V2,7V, 4,5V3V, 10V3,3V, 4,5V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,4mohms à 30A, 10V0,47mohms à 20A, 10V0,52mohms à 20A, 10V0,53mohms à 20A, 10V0,57mohms à 20A, 10V0,58mohms à 20A, 10V0,6mohm à 15A, 10V0,62mohms à 20A, 10V0,67mohms à 20A, 10V0,69mohms à 20A, 10V0,74mohms à 20A, 10V0,76mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
400mV à 250µA (min)450mV à 100µA (min)450mV à 1mA (min)450mV à 250µA (min)450mV à 2mA (min)500mV à 250µA (min)600mV à 1,2mA (min)600mV à 1mA (min)600mV à 250µA (min)700mV à 250µA (min)700mV à 250µA750mV à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V1 nC @ 10 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 8 V1.4 nC @ 10 V1.4 nC @ 4.5 V1.49 nC @ 5 V1.5 nC @ 10 V1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±5V±6V±8V±9V±10V+12V, -8V±12V+16V, -12V+16V, -20V±16V+20V, -16V±20V±25V±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3.5 pF @ 15 V16 pF @ 10 V17 pF @ 15 V21 pF @ 5 V21 pF @ 6 V23 pF @ 25 V24 pF @ 30 V30 pF @ 25 V31 pF @ 10 V31 pF @ 15 V33 pF @ 15 V35 pF @ 10 V
Fonction FET
-Diode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)Détection de courant
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)170mW (Ta)190mW (Ta)190mW (Ta), 200mW (Tc)200mW (Ta)220mW (Ta)236mW (Ta)240mW (Ta)240mW (Tc)250mW (Ta)250mW (Tc)280mW (Ta)
Température de fonctionnement
-65°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C (TA)-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 150°C-55°C ~ 175°C (TA)-55°C ~ 175°C (TJ)-55°C ~ 175°C-50°C ~ 150°C (TJ)-50°C ~ 175°C (TJ)150°C (TJ)175°C (TJ)-
Grade
-Automobile
Qualification
-AEC-Q101
Type de montage
-Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesTrou traversant
Boîtier fournisseur
4-HVMDIP4-MICRO FOOT® (0,8x0,8)4-MICRO FOOT® (1,6x1,6)4-MICRO FOOT® (1x1)4-Micro Foot (1x1)4-Microfoot4-WLCSP (1,6x1,6)6-Micro Foot™ (1,5x1)6-Micro Foot™ (2,4x2)6-TSOP6-microfoot8-SO
Boîtier
4-DIP (0,300po, 7,62mm)4-UFBGA4-UFBGA, WLCSP4-XFBGA4-XFBGA, CSPBGA6-MICRO FOOT®CSP6-PowerVDFN6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-UFBGA8-PowerBSFN8-PowerSMD, papillon8-PowerTDFN
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
4 719Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer

Affichage de
sur 4 719
Comparer
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
848 459
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04451 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002K-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Vishay Siliconix
565 493
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04451 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
186 868
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09413 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2301CDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
60 191
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09413 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,1 A (Tc)
2,5V, 4,5V
112mohms à 2,8A, 4,5V
1V à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
405 pF @ 10 V
-
860mW (Ta), 1,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
54 249
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10034 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,6 A (Ta)
2,5V, 4,5V
57mohms à 3,6A, 4,5V
850mV à 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2369DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 7.6A TO236
Vishay Siliconix
19 152
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12624 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
7,6 A (Tc)
4,5V, 10V
29mohms à 5,4A, 10V
2,5V à 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1295 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
11 872
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12624 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
6 A (Tc)
1,5V, 4,5V
28mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1,2W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
9 512
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12554 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3,6 A (Tc)
2,5V, 4,5V
68mohms à 2,9A, 4,5V
1,5V à 250µA
10 nC @ 10 V
±12V
320 pF @ 15 V
-
1,1W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2347DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3
Vishay Siliconix
206 302
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08464 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 3,8A, 10V
2,5V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
705 pF @ 15 V
-
1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2304DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Vishay Siliconix
48 663
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10360 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3,3 A (Ta), 3,6 A (Tc)
4,5V, 10V
60mohms à 3,2A, 10V
2,2V à 250µA
6.7 nC @ 10 V
±20V
235 pF @ 15 V
-
1,1W (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
119 382
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13251 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6 A (Tc)
1,8V, 4,5V
31,8mohms à 5A, 4,5V
1V à 250µA
18 nC @ 5 V
±8V
865 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2377EDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
24 019
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13251 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,4 A (Tc)
1,5V, 4,5V
61mohms à 3,2A, 4,5V
1V à 250µA
21 nC @ 8 V
±8V
-
-
1,25W (Ta), 1,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
160 840
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13530 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
500mA (Ta)
1,8V, 4,5V
700mohms à 600mA, 4,5V
900mV à 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75A
SC-75, SOT-416
SC-89-3_463C
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
Vishay Siliconix
111 005
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07319 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
530mA (Ta)
1,5V, 4,5V
420mohms à 500mA, 4,5V
1V à 250µA
2.7 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
220mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-89-3
SC-89, SOT-490
Pkg 5868
SI1013R-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Vishay Siliconix
97 700
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13530 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
350mA (Ta)
1,8V, 4,5V
1,2ohms à 350mA, 4,5V
450mV à 250µA (min)
1.5 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75A
SC-75, SOT-416
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
93 066
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11100 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
5,6 A (Tc)
4,5V, 10V
42mohms à 4,3A, 10V
2,5V à 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Vishay Siliconix
39 611
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11100 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
8 V
5,8 A (Tc)
1,8V, 4,5V
35mohms à 4,4A, 4,5V
1V à 250µA
30 nC @ 8 V
±8V
960 pF @ 4 V
-
960mW (Ta), 1,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pkg 5549
SI1308EDL-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT323
Vishay Siliconix
33 685
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11100 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Tc)
2,5V, 10V
132mohms à 1,4A, 10V
1,5V à 250µA
4.1 nC @ 10 V
±12V
105 pF @ 15 V
-
400mW (Ta), 500mW (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
SI2301BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3
Vishay Siliconix
52 023
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11277 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
100mohms à 2,8A, 4,5V
950mV à 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
375 pF @ 6 V
-
700mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-70-6
SI1416EDH-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Vishay Siliconix
44 956
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11396 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3,9 A (Tc)
2,5V, 10V
58mohms à 3,1A, 10V
1,4V à 250µA
12 nC @ 10 V
±12V
-
-
2,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-6
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-23-3
SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
84 163
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11499 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,6 A (Ta)
4,5V, 10V
70mohms à 2,5A, 10V
3V à 250µA
4 nC @ 5 V
±20V
225 pF @ 15 V
-
750mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
22 484
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14506 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
12 A (Tc)
2,5V, 10V
26mohms à 9A, 10V
1,4V à 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3,5W (Ta), 19W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
Pkg 5540
SI3127DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
Vishay Siliconix
18 095
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,14506 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
3,5 A (Ta), 13 A (Tc)
4,5V, 10V
89mohms à 1,5A, 4,5V
3V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
833 pF @ 20 V
-
2W (Ta), 4,2W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
6-TSOP
SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
SOT-23-3
TP0610K-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 185MA SOT23-3
Vishay Siliconix
894 768
En stock
1 : 0,44000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11973 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
185mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 500mA, 10V
3V à 250µA
1.7 nC @ 15 V
±20V
23 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
8-SOIC
SI4435FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC
Vishay Siliconix
31 562
En stock
1 : 0,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,11840 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12,6 A (Tc)
4,5V, 10V
19mohms à 9A, 10V
2,2V à 250µA
42 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
4,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Affichage de
sur 4 719

Vishay Siliconix FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.