
SISS63DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISS63DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8S |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISS63DN-T1-GE3 Modèles |
Category | Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 236 nC @ 8 V |
Série | Vgs (max.) ±12V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7080 pF @ 10 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 20 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8S |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,7mohms à 15A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,49000 € | 1,49 € |
| 10 | 0,94400 € | 9,44 € |
| 100 | 0,63110 € | 63,11 € |
| 500 | 0,49680 € | 248,40 € |
| 1 000 | 0,45358 € | 453,58 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,39871 € | 1 196,13 € |
| 6 000 | 0,37109 € | 2 226,54 € |
| 9 000 | 0,35702 € | 3 213,18 € |
| 15 000 | 0,34122 € | 5 118,30 € |
| 21 000 | 0,33890 € | 7 116,90 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,49000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,78800 € |










