Canal P FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	261 619 En stock	1 : 0,20000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03700 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	1 140 953 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04886 € Bande et bobine	SIPMOS®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8ohms à 170mA, 10V	2V à 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	75 543 En stock	1 : 0,23000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04727 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mohms à 350mA, 4,5V	1V à 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	±6V	59.76 pF @ 16 V	-	270mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-523	SOT-523
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	26 148 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04966 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 2,8A, 4,5V	1,2V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	54 123 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05094 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	543 953 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05635 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RZM002P02T2L MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3 Rohm Semiconductor	66 087 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,05277 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	1,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 100µA	1.4 nC @ 4.5 V	±10V	115 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VMT3	SOT-723
CSD25480F3 MOSFET P-CH 20V 1.7A 3PICOSTAR Texas Instruments	51 462 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06556 € Bande et bobine	FemtoFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	1,7 A (Ta)	1,8V, 8V	132mohms à 400mA, 8V	1,2V à 250µA	0.91 nC @ 4.5 V	-12V	155 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	3-PICOSTAR	3-XFDFN
DMP3099L-7 MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 Diodes Incorporated	50 915 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06032 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,8 A (Ta)	4,5V, 10V	65mohms à 3,8A, 10V	2,1V à 250µA	5.2 nC @ 4.5 V	±20V	563 pF @ 25 V	-	1,08W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NX2301P,215 MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB Nexperia USA Inc.	32 716 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06243 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	2 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 1A, 4,5V	1,1V à 250µA	6 nC @ 4.5 V	±8V	380 pF @ 6 V	-	400mW (Ta), 2,8W (Tc)	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84W-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Diodes Incorporated	3 403 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04807 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	200mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-323	SC-70, SOT-323
BSS84 MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	140 807 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06376 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	4,5V, 10V	8ohms à 150mA, 10V	2V à 250µA	1.3 nC @ 5 V	±20V	73 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS314PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3 Infineon Technologies	18 268 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07289 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	1,5 A (Ta)	4,5V, 10V	140mohms à 1,5A, 10V	2V à 6,3µA	2.9 nC @ 10 V	±20V	294 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3441_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	8 902 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06795 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	40 V	3,1 A (Ta)	4,5V, 10V	88mohms à 3,1A, 10V	2,5V à 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	505 pF @ 20 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2305U-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3 Diodes Incorporated	32 500 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06969 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,2 A (Ta)	1,8V, 4,5V	60mohms à 4,2A, 4,5V	900mV à 250µA	7.6 nC @ 4.5 V	±8V	727 pF @ 20 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP3068L-7 MOSFET P-CH 30V 3.3A SOT23 Diodes Incorporated	35 194 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07129 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3,3 A (Ta)	1,8V, 10V	72mohms à 4,2A, 10V	1,3V à 250µA	15.9 nC @ 10 V	±12V	708 pF @ 15 V	-	700mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3J56MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 800MA VESM Toshiba Semiconductor and Storage	150 545 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,05735 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	800mA (Ta)	1,2V, 4,5V	390mohms à 800mA, 4,5V	-	-	±8V	100 pF @ 10 V	-	150mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	VESM	SOT-723
SSM3J332R,LF MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	63 071 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06608 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	6 A (Ta)	1,8V, 10V	42mohms à 5A, 10V	1,2V à 1mA	8.2 nC @ 4.5 V	±12V	560 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
BSS83PH6327XTSA1 MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3 Infineon Technologies	40 603 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07942 € Bande et bobine	SIPMOS®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	330mA (Ta)	4,5V, 10V	2ohms à 330mA, 10V	2V à 80µA	3.57 nC @ 10 V	±20V	78 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BVSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	4 244 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06921 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 250µA	2.2 nC @ 10 V	±20V	36 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	37 542 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07578 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mohms à 4A, 4,5V	1V à 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	±8V	634 pF @ 10 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTS4173PT1G MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 onsemi	21 203 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07029 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	1,2 A (Ta)	2,5V, 10V	150mohms à 1,2A, 10V	1,5V à 250µA	10.1 nC @ 10 V	±12V	430 pF @ 15 V	-	290mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SC-70-3 (SOT323)	SC-70, SOT-323
NTR4101PT1G MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3 onsemi	132 709 En stock Ce produit a une limite d'achat maximum	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07919 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	1,8 A (Ta)	1,8V, 4,5V	85mohms à 1,6A, 4,5V	1,2V à 250µA	8.5 nC @ 4.5 V	±8V	675 pF @ 10 V	-	420mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML6401TRPBF MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23 Infineon Technologies	10 269 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08487 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Date de dernière disponibilité	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	12 V	4,3 A (Ta)	1,8V, 4,5V	50mohms à 4,3A, 4,5V	950mV à 250µA	15 nC @ 5 V	±8V	830 pF @ 10 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 Infineon Technologies	69 363 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08920 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	2 A (Ta)	4,5V, 10V	80mohms à 2A, 10V	2V à 11µA	5 nC @ 10 V	±20V	500 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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