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SUM90N10-8M2P-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SUM90N10-8M2P-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SUM90N10-8M2P-E3TR-ND - Bande et bobine SUM90N10-8M2P-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SUM90N10-8M2P-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SUM90N10-8M2P-E3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 90A TO263 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 90 A (Tc) 3,75W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SUM90N10-8M2P-E3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6290 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 3,75W (Ta), 300W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,2mohms à 20A, 10V |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SUM70060E-GE3 | Vishay Siliconix | 23 651 | SUM70060E-GE3CT-ND | 2,56000 € | Recommandation fabricant |
| BUK768R1-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 5 764 | 1727-1062-1-ND | 3,38000 € | Similaire |
| BUK969R3-100E,118 | Nexperia USA Inc. | 0 | 1727-1064-2-ND | 1,10741 € | Similaire |
| FDB3632 | onsemi | 7 834 | FDB3632CT-ND | 3,76000 € | Similaire |
| IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | 2 423 | IRFS4410ZTRLPBFCT-ND | 2,56000 € | Similaire |
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