Name: SUM70060E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM70060E-GE3TR-ND
Price: 3.096 EUR
Availability: InStock

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SUM70060E-GE3
Numéro de produit DigiKey	SUM70060E-GE3TR-ND - Bande et bobine SUM70060E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUM70060E-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	42 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 131 A (Tc) 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUM70060E-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 81 nC @ 10 V
Série ThunderFET®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3330 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 131 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SUM70060
Rds On (max.) à Id, Vgs 5,6mohms à 30 A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine