BUK768R1-100E,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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BUK768R1-100E,118
Numéro de produit DigiKey	1727-1062-2-ND - Bande et bobine 1727-1062-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	BUK768R1-100E,118
Description	MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 100 A (Tc) 263W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BUK768R1-100E,118 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 108 nC @ 10 V
Fabricant Nexperia USA Inc.	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7380 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 263W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,1mohms à 25A, 10V	Numéro de produit de base BUK768
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (9)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB3632	onsemi	5 634	FDB3632CT-ND	3,76000 €	Similaire
IRFS4410ZTRLPBF	Infineon Technologies	2 421	IRFS4410ZTRLPBFCT-ND	2,56000 €	Similaire
IXFA130N10T	IXYS	0	IXFA130N10T-ND	2,68927 €	Similaire
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	6,40000 €	Similaire
IXTA130N10T	IXYS	703	238-IXTA130N10T-ND	5,67000 €	Similaire

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Bande et bobine

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Prix unitaire avec TVA:	4,05600 €

BUK768R1-100E,118