Name: SUM110P08-11L-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM110P08-11L-E3TR-ND
Price: 5.712 EUR
Availability: InStock

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SUM110P08-11L-E3
Numéro de produit DigiKey	SUM110P08-11L-E3TR-ND - Bande et bobine SUM110P08-11L-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SUM110P08-11L-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SUM110P08-11L-E3
Description	MOSFET P-CH 80V 110A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 80 V 110 A (Tc) 13,6W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SUM110P08-11L-E3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	TrenchFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	11,2mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	270 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10850 pF @ 40 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	13,6W (Ta), 375W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263 (D2PAK)
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	SUM110