TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL530NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Infineon Technologies
29 424
En stock
1 : 1,58000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,54459 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
17 A (Tc)
4V, 10V
100mohms à 9A, 10V
2V à 250µA
34 nC @ 5 V
±20V
800 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFZ44NSTRLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
Infineon Technologies
11 583
En stock
1 : 1,65000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,57959 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
49 A (Tc)
10V
17,5mohms à 25A, 10V
4V à 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1470 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
Infineon Technologies
3 400
En stock
1 : 1,66000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,52956 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
14 A (Tc)
10V
200mohms à 8,4A, 10V
4V à 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 79W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Infineon Technologies
1 644
En stock
1 : 1,72000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,53778 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
33 A (Tc)
10V
44mohms à 16A, 10V
4V à 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
1960 pF @ 25 V
-
130W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF5305STRLPBF
MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Infineon Technologies
2 195
En stock
1 : 1,81000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,62668 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
31 A (Tc)
10V
60mohms à 16A, 10V
4V à 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 110W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB123N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Infineon Technologies
1 145
En stock
1 : 1,81000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,64864 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
58 A (Tc)
6V, 10V
12,3mohms à 46A, 10V
3,5V à 46µA
35 nC @ 10 V
±20V
2500 pF @ 50 V
-
94W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF640NSTRLPBF
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Infineon Technologies
4 872
En stock
1 : 1,85000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,56404 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
18 A (Tc)
10V
150mohms à 11A, 10V
4V à 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
BUK7626-100B,118
PSMN015-60BS,118
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Nexperia USA Inc.
4 290
En stock
1 : 1,90000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,56209 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
50 A (Tc)
10V
14,8mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
20.9 nC @ 10 V
±20V
1220 pF @ 30 V
-
86W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
BUK7626-100B,118
PSMN034-100BS,118
MOSFET N-CH 100V 32A D2PAK
Nexperia USA Inc.
3 303
En stock
1 : 1,94000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,59029 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
32 A (Tc)
10V
34,5mohms à 15A, 10V
4V à 1mA
23.8 nC @ 10 V
±20V
1201 pF @ 50 V
-
86W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3
IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
Vishay Siliconix
2 733
En stock
1 : 1,95000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,70600 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
14 A (Tc)
10V
160mohms à 8,4A, 10V
4V à 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 25 V
-
3,7W (Ta), 88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRL540NSTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
Infineon Technologies
31 275
En stock
1 : 2,00000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,74491 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
36 A (Tc)
4V, 10V
44mohms à 18A, 10V
2V à 250µA
74 nC @ 5 V
±16V
1800 pF @ 25 V
-
3,8W (Ta), 140W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS7437TRLPBF
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
Infineon Technologies
2 173
En stock
1 : 2,02000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,75098 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
195 A (Tc)
6V, 10V
1,8mohms à 100A, 10V
3,9V à 150µA
225 nC @ 10 V
±20V
7330 pF @ 25 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263AB
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF3205STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Infineon Technologies
1 581
En stock
1 : 2,06000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,68170 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
55 V
110 A (Tc)
10V
8mohms à 62A, 10V
4V à 250µA
146 nC @ 10 V
±20V
3247 pF @ 25 V
-
200W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB083N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
Infineon Technologies
478
En stock
1 : 2,19000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,76047 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Date de dernière disponibilité
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
80 A (Tc)
6V, 10V
8,3mohms à 73A, 10V
3,5V à 75µA
55 nC @ 10 V
±20V
3980 pF @ 50 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Infineon Technologies
21 119
En stock
1 : 2,22000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,64403 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
24 A (Tc)
10V
77,5mohms à 15A, 10V
5V à 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
D²PAK
STB11NK40ZT4
MOSFET N-CH 400V 9A D2PAK
STMicroelectronics
2 907
En stock
1 : 2,23000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 1,03082 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
400 V
9 A (Tc)
10V
550mohms à 4,5A, 10V
4,5V à 100µA
32 nC @ 10 V
±30V
930 pF @ 25 V
-
110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3
IRF9640STRLPBF
MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Vishay Siliconix
1 074
En stock
1 : 2,25000 €
Bande coupée (CT)
800 : 1,53981 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
11 A (Tc)
10V
500mohms à 6,6A, 10V
4V à 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
3W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3 256
En stock
1 : 2,35000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,77336 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
12 A (Tc)
10V
280mohms à 3,8A, 10V
4V à 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263
FQB22P10TM
MOSFET P-CH 100V 22A D2PAK
onsemi
3 719
En stock
1 : 2,39000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,85891 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
22 A (Tc)
10V
125mohms à 11A, 10V
4V à 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1500 pF @ 25 V
-
3,75W (Ta), 125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB144N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 56A D2PAK
Infineon Technologies
4 375
En stock
1 : 2,40000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,92579 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Date de dernière disponibilité
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
120 V
56 A (Ta)
10V
14,4mohms à 56A, 10V
4V à 61µA
49 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 60 V
-
107W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3
IRF9Z34STRLPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
Vishay Siliconix
2 210
En stock
1 : 2,42000 €
Bande coupée (CT)
800 : 1,29028 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
18 A (Tc)
10V
140mohms à 11A, 10V
4V à 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 25 V
-
3,7W (Ta), 88W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IRF9540NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK
Infineon Technologies
1 899
En stock
1 : 2,42000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,80186 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
23 A (Tc)
10V
117mohms à 14A, 10V
4V à 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
3,1W (Ta), 110W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-263
FQB27P06TM
MOSFET P-CH 60V 27A D2PAK
onsemi
2 351
En stock
800
Usine
1 : 2,47000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,87494 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
27 A (Tc)
10V
70mohms à 13,5A, 10V
4V à 250µA
43 nC @ 10 V
±25V
1400 pF @ 25 V
-
3,75W (Ta), 120W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IPB029N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Infineon Technologies
24 614
En stock
1 : 2,48000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 0,89350 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
120 A (Tc)
10V
2,9mohms à 100A, 10V
4V à 118µA
165 nC @ 10 V
±20V
13000 pF @ 30 V
-
188W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
PG-TO263-3
IRFS4410ZTRLPBF
MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
Infineon Technologies
6 769
En stock
1 : 2,48000 €
Bande coupée (CT)
800 : 0,81688 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
97 A (Tc)
10V
9mohms à 58A, 10V
4V à 150µA
120 nC @ 10 V
±20V
4820 pF @ 50 V
-
230W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Affichage de
sur 3 776

TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.