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SQ2303ES-T1_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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Recommandation fabricant
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQ2303ES-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQ2303ES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQ2303ES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQ2303ES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQ2303ES-T1_GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 2.5A TO236 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 2,5 A (Tc) 1,9W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 210 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Dissipation de puissance (max.) 1,9W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 170mohms à 1,8A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ2303ES-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 387 | 742-SQ2303ES-T1_BE3CT-ND | 0,72000 € | Direct |
| SQ2303CES-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 5 820 | 742-SQ2303CES-T1_GE3CT-ND | 0,48000 € | Recommandation fabricant |
Obsolète
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