TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 FET, MOSFET simples

Affichage de

sur 2 260

Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
NX7002AK,215 MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	8 900 En stock	1 : 0,11000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02177 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	87 757 En stock	1 : 0,11216 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02177 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	±20V	20 pF @ 10 V	-	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	96 664 En stock	1 : 0,12000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02213 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	±20V	17 pF @ 10 V	-	320mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	173 838 En stock	1 : 0,15513 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,02989 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5ohms à 50mA, 5V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	45 705 En stock	1 : 0,16000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03098 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	±20V	50 pF @ 25 V	-	370mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	479 303 En stock	1 : 0,17000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03266 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5ohms à 220mA, 10V	1,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 10 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	166 278 En stock	1 : 0,17000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03320 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6ohms à 500mA, 10V	2,3V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±20V	24.5 pF @ 20 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	277 942 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03539 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5ohms à 240mA, 10V	2,5V à 250µA	0.81 nC @ 5 V	±20V	26.7 pF @ 25 V	-	300mW (Tj)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	88 246 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03537 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	±20V	45 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002LT1G MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 onsemi	1 170 187 En stock	1 : 0,20000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03921 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	115mA (Tc)	5V, 10V	7,5ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123-7-F MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 Diodes Incorporated	242 491 En stock	1 : 0,20000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03774 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohms à 170mA, 10V	2V à 1mA	-	±20V	60 pF @ 25 V	-	300mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RUC002N05T116 MOSFET N-CH 50V 200MA SST3 Rohm Semiconductor	154 091 En stock	1 : 0,21000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03980 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	1,2V, 4,5V	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	±8V	25 pF @ 10 V	-	200mW (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SST3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDV301N MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23 onsemi	503 444 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04574 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	25 V	220mA (Ta)	2,7V, 4,5V	4ohms à 400mA, 4,5V	1,06V à 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	±8V	9.5 pF @ 10 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMN62D0U-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Diodes Incorporated	194 951 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04380 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	380mA (Ta)	1,8V, 4,5V	2ohms à 100mA, 4,5V	1V à 250µA	0.5 nC @ 4.5 V	±20V	32 pF @ 30 V	-	380mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	101 234 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04436 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 2,8A, 4,5V	1,2V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84PH6327XTSA2 MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Infineon Technologies	76 412 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04501 € Bande et bobine	SIPMOS®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	170mA (Ta)	4,5V, 10V	8ohms à 170mA, 10V	2V à 20µA	1.5 nC @ 10 V	±20V	19 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138NH6327XTSA2 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3 Infineon Technologies	78 033 En stock	1 : 0,23000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04605 € Bande et bobine	SIPMOS®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	230mA (Ta)	4,5V, 10V	3,5ohms à 230mA, 10V	1,4V à 26µA	1.4 nC @ 10 V	±20V	41 pF @ 25 V	-	360mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138 MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3 onsemi	734 732 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04877 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	220mA (Ta)	4,5V, 10V	3ohms à 500mA, 10V	1,6V à 250µA	2.4 nC @ 10 V	±20V	27 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123LT1G MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 onsemi	355 458 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04891 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	100 V	170mA (Ta)	10V	6ohms à 100mA, 10V	2,6V à 1mA	-	±20V	20 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT3G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	121 948 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,04129 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	5V	3,5ohms à 200mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJA3404_R1_00001 SOT-23, MOSFET Panjit International Inc.	44 296 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04860 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	5,6 A (Ta)	4,5V, 10V	30mohms à 5,6A, 10V	2,1V à 250µA	7.8 nC @ 10 V	±20V	343 pF @ 15 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	221 682 En stock	1 : 0,24245 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05020 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	130mA (Ta)	5V	10ohms à 100mA, 5V	2V à 250µA	-	±20V	30 pF @ 5 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2004K-7 MOSFET P-CH 20V 600MA SOT23-3 Diodes Incorporated	697 745 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05035 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	600mA (Ta)	1,8V, 4,5V	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	-	±8V	175 pF @ 16 V	-	550mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 300MA TO236 Vishay Siliconix	185 932 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05105 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	300mA (Ta)	4,5V, 10V	2ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	±20V	30 pF @ 25 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138LT1G MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 onsemi	467 700 En stock	1 : 0,24988 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05190 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	50 V	200mA (Ta)	5V	3,5ohms à 200mA, 5V	1,5V à 1mA	-	±20V	50 pF @ 25 V	-	225mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Affichage de

sur 2 260

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

INFORMATIONS

AIDE

NOUS CONTACTER

NOUS SUIVRE