Name: SQJ886EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ886EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.304 EUR
Availability: InStock

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SQJ886EP-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQJ886EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJ886EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJ886EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQJ886EP-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 40 V 60 A (Tc) 55W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQJ886EP-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 65 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2922 pF @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 55W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 40 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 60 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,5mohms à 15,3A, 10V	Numéro de produit de base SQJ886
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 8 698

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Quantité

Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.

Bande et bobine

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	1,92000 €
Prix unitaire avec TVA:	2,30400 €

SQJ886EP-T1_GE3