PowerPAK® 1212-8 FET, MOSFET simples

Résultats : 238
Série
-SkyFET®, TrenchFET®ThunderFET®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineDigi-Reel®
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolète
Type de FET
Canal NCanal P
Tension drain-source (Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V60 V70 V75 V80 V100 V150 V200 V220 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
1,24 A (Ta)1,7 A (Ta)2,17 A (Tc)2,2 A (Ta)2,8 A (Tc)3,4 A (Ta)3,5A (Ta), 8,8A (Tc)3,6 A (Ta)3,8 A (Tc)4 A (Tc)4,3 A (Ta)4,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V2,5V, 10V2,5V, 4,5V3,3V, 4,5V4,5V, 10V6V, 10V7,5V, 10V10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
1,1mohms à 10A, 10V1,4mohms à 15A, 10V2,15mohms à 15A, 10V2,3mohms à 15A, 10V2,5mohms à 15A, 10V2,65mohms à 15A, 10V2,7mohms à 15A, 10V3,25mohms à 10A, 10V3,25mohms à 20A, 10V3,3mohms à 10A, 10V3,5mohms à 10A, 10V3,5mohms à 15A, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id
850mV à 250µA900mV à 250µA1V à 250µA1V à 300µA1V à 400µA1V à 450µA1V à 800µA1,2V à 250µA1,4V à 250µA1,5V à 250µA1,6V à 250µA1,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
5 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 5 V8 nC @ 10 V9.8 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V11.8 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12 nC @ 4.5 V13 nC @ 5 V13 nC @ 10 V13.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±8V+12V, -8V±12V+16V, -12V+16V, -20V±16V+20V, -16V±20V±25V±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
210 pF @ 50 V300 pF @ 10 V355 pF @ 50 V360 pF @ 50 V365 pF @ 75 V385 pF @ 75 V398 pF @ 15 V420 pF @ 30 V430 pF @ 10 V435 pF @ 15 V470 pF @ 25 V490 pF @ 10 V
Fonction FET
-Diode Schottky (isolée)Diode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)
1,3W (Ta)1,5W (Ta)1,9W (Ta)3,1W (Ta), 12,5W (Tc)3,1W (Ta), 9,6W (Tc)3,2W (Ta), 12,5W (Tc)3,2W (Ta), 15,6W (Tc)3,2W (Ta), 19,8W (Tc)3,2W (Ta), 24W (Tc)3,3W (Ta), 27,1W (Tc)3,4W (Ta), 31W (Tc)3,5W (Ta), 27,7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)
Options de stockage
Options environnementales
Supports
PRODUIT MARKETPLACE
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Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
67 384
En stock
1 : 0,53000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20213 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
12 A (Tc)
4,5V, 10V
24mohms à 7,8A, 10V
2,5V à 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 15,6W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
56 729
En stock
1 : 0,53000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,20213 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
18 A (Tc)
4,5V, 10V
9,4mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
194 446
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29845 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
12,3mohms à 13,9A, 10V
2,5V à 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA14DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 20A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19 073
En stock
1 : 0,60000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22909 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
20 A (Tc)
4,5V, 10V
5,1mohms à 10A, 10V
2,2V à 250µA
29 nC @ 10 V
+20V, -16V
1450 pF @ 15 V
-
3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS110DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Vishay Siliconix
5 108
En stock
1 : 0,60000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,22747 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc)
7,5V, 10V
54mohms à 4A, 10V
4V à 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
3,2W (Ta), 24W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
61 146
En stock
1 : 0,67000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25604 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
2,5V, 10V
4,4mohms à 20A, 10V
1,5V à 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
19 568
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29646 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
25 A (Tc)
4,5V, 10V
4,3mohms à 10A, 10V
2,2V à 250µA
45 nC @ 10 V
+20V, -16V
2070 pF @ 15 V
-
3,5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 293
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32800 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
4,7 A (Tc)
10V
1,095ohms à 5A, 10V
3,5V à 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
385 pF @ 75 V
-
62,5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQS401EN-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
102 543
En stock
1 : 0,84000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,34930 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
16 A (Tc)
4,5V, 10V
29mohms à 12A, 10V
2,5V à 250µA
21.2 nC @ 4.5 V
±20V
1875 pF @ 20 V
-
62,5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SQS484ENW-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
33 670
En stock
1 : 0,84000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32018 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
16 A (Tc)
4,5V, 10V
8mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
62,5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
18 692
En stock
1 : 0,84000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,34865 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
70 V
12,9A (Ta), 42,3A (Tc)
3,3V, 4,5V
10,9mohms à 10A, 4,5V
1,6V à 250µA
19 nC @ 4.5 V
±12V
1660 pF @ 35 V
-
3,6W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
23 609
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36143 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,6mohms à 16,2A, 10V
2,2V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS862ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Vishay Siliconix
11 946
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33218 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
15,8A (Ta), 52A (Tc)
4,5V, 10V
7,2mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1235 pF @ 30 V
-
3,6W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA24DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 050
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33015 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
60 A (Tc)
4,5V, 10V
1,4mohms à 15A, 10V
2,1V à 250µA
26 nC @ 4.5 V
+20V, -16V
2650 pF @ 10 V
-
52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 832
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38725 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
8 A (Tc)
4,5V, 10V
115mohms à 3,9A, 10V
3V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7309DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 039
En stock
1 : 0,94000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38725 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
8 A (Tc)
4,5V, 10V
115mohms à 3,9A, 10V
3V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
600 pF @ 30 V
-
3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
23 973
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,41823 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS476DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
16 376
En stock
1 : 1,06000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,43888 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
40 A (Tc)
4,5V, 10V
2,5mohms à 15A, 10V
2,3V à 250µA
77 nC @ 10 V
+20V, -16V
3595 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7308DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 096
En stock
1 : 1,06000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,43888 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
6 A (Tc)
4,5V, 10V
58mohms à 5,4A, 10V
3V à 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
665 pF @ 15 V
-
3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7716ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 047
En stock
1 : 1,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,45747 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
16 A (Tc)
4,5V, 10V
13,5mohms à 10A, 10V
2,5V à 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
846 pF @ 15 V
-
3,5W (Ta), 27,7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
10 157
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46470 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,2mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 175
En stock
1 : 1,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,47051 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
8,9 A (Tc)
7,5V, 10V
315mohms à 2,4A, 10V
4V à 250µA
30 nC @ 10 V
±30V
880 pF @ 75 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS890DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
32 703
En stock
1 : 1,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,52279 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
30 A (Tc)
4,5V, 10V
23,5mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
802 pF @ 50 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7812DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
50 773
En stock
1 : 1,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,78415 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
75 V
16 A (Tc)
4,5V, 10V
37mohms à 7,2A, 10V
3V à 250µA
24 nC @ 10 V
±20V
840 pF @ 35 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7414DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 123
En stock
1 : 1,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,62887 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
5,6 A (Ta)
4,5V, 10V
25mohms à 8,7A, 10V
3V à 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
-
-
1,5W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
Affichage de
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PowerPAK® 1212-8 FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.