SIS176LDN-T1-GE3
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SI7617DN-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI7617DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SI7617DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI7617DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI7617DN-T1-GE3
Description
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 35 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SI7617DN-T1-GE3 Modèles
En stock: 127 287
Expédition immédiate possible
Tous les prix sont en EUR
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
10,55000 €0,55 €
100,54100 €5,41 €
1000,44040 €44,04 €
5000,38806 €194,03 €
1 0000,36295 €362,95 €
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 5,50 €.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,27916 €837,48 €
Conditionnement standard du fabricant
Prix unitaire sans TVA:0,55000 €
Prix unitaire avec TVA:0,66000 €
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
12,3mohms à 13,9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1800 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerPAK® 1212-8
Boîtier
Numéro de produit de base