35 A (Tc) FET, MOSFET simples

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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
SIS176LDN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
161 393
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28025 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
12,3mohms à 13,9A, 10V
2,5V à 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
27 029
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,23818 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
2,5V, 10V
4,4mohms à 20A, 10V
1,5V à 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
24 056
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,32553 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,6mohms à 16,2A, 10V
2,2V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
10 560
En stock
1 : 1,08000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36768 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
4,8mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
3 847
En stock
1 : 1,29000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,42746 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,2mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-220AB PKG
IRFB4615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Infineon Technologies
1 319
En stock
1 : 1,32000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
35 A (Tc)
10V
39mohms à 21A, 10V
5V à 100µA
26 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220AB
TO-220-3
DPAK
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
3 418
En stock
1 : 1,37000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,45962 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
5V, 10V
28mohms à 18A, 10V
2,5V à 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
DPAK
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
11 809
En stock
1 : 1,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,52641 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
17mohms à 17,5A, 10V
2,5V à 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SI7615DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 553
En stock
1 : 1,53000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,53770 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
6V, 10V
3,9mohms à 20A, 10V
1,5V à 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
6000 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
17 749
En stock
1 : 1,58000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,52781 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
11,7mohms à 15A, 10V
2,3V à 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
DPAK
STD35P6LLF6
MOSFET P-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
8 299
En stock
1 : 1,60000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,51258 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
28mohms à 17,5A, 10V
2,5V à 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
3780 pF @ 25 V
-
70W (Tc)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
TO-220FP
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
1 041
En stock
1 : 7,56000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
1 536
En stock
1 : 7,85000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
C3M0280090J-TR
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2 604
En stock
1 : 15,28000 €
Tube
Tube
Pas pour les nouvelles conceptions
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
900 V
35 A (Tc)
15V
78mohms à 20A, 15V
3,5V à 5mA
30 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
-
113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
PowerPAK 1212-8
SI7615CDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
1 348
En stock
1 : 0,63000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,16340 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
1,8V, 4,5V
9mohms à 12A, 4,5V
1V à 250µA
63 nC @ 4.5 V
±8V
3860 pF @ 10 V
-
33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
17 267
En stock
1 : 0,76000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,38773 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SIS176LDN-T1-GE3
SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
9 409
En stock
1 : 0,80000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,34619 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
11,4mohms à 14,4A, 10V
2,8V à 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 15 V
-
3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PG-TO252-3-11
IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
Infineon Technologies
9 210
En stock
1 : 0,97000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,54344 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
24mohms à 35A, 10V
2,4V à 39µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
-
71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TO252-3-11
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SIS176LDN-T1-GE3
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
4 102
En stock
1 : 1,08000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,33719 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
3,7mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252 D-Pak Top
DMPH6023SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Diodes Incorporated
1 823
En stock
7 500
Usine
1 : 1,21000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,31248 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
33mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
3,2W
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
8PowerVDFN
STL8N10F7
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
STMicroelectronics
3 408
En stock
1 : 1,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,40804 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
35 A (Tc)
10V
20mohms à 4A, 10V
4,5V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 50 V
-
3,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerFlat™ (3,3x3,3)
8-PowerVDFN
SIR401DP-T1-GE3
SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
4 330
En stock
1 : 1,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37617 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
4,8mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
4,2W (Ta), 36W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
SIR401DP-T1-GE3
SI7143DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2 633
En stock
1 : 1,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46792 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
10mohms à 16,1A, 10V
2,8V à 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
2230 pF @ 15 V
-
4,2W (Ta), 35,7W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-220AB PKG
IRFB5615PBF
MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB
Infineon Technologies
1 911
En stock
1 : 1,33000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
150 V
35 A (Tc)
10V
39mohms à 21A, 10V
5V à 100µA
40 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 50 V
-
144W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220AB
TO-220-3
BA17818FP-E2
RD3L03BATTL1
PCH -60V -35A POWER MOSFET - RD3
Rohm Semiconductor
10 762
En stock
1 : 1,41000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,47586 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
41mohms à 35A, 10V
2,5V à 1mA
37 nC @ 10 V
±20V
1930 pF @ 30 V
-
56W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-252
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Affichage de
sur 312

35 A (Tc) FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.