35 A (Tc) FET, MOSFET simples

Résultats : 304
Fabricant
Comchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip Technology
Série
-*C3M™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolSiC™DeepGATE™, STripFET™ VIIDTMOSIVEE-SeriesFDmesh™FDmesh™ II
Conditionnement
Bande coupée (CT)Bande et bobineBoîteDigi-Reel®En vracTube
Statut du produit
ActifDate de dernière disponibilitéEn fin de cycle chez Digi-KeyObsolètePas pour les nouvelles conceptions
Type de FET
Canal NCanal P
Technologies
GaNFET (nitrure de gallium)MOSFET (oxyde métallique)SiC (transistor à jonction en carbure de silicium)SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)
8 V12 V20 V25 V30 V40 V55 V60 V80 V85 V100 V110 V
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
1,8V, 4,5V2,5V, 10V2,5V, 4,5V4,5V, 10V5V, 10V6V, 10V7V, 10V10V10V, 15V15V15V, 18V18V20V-
Rds On (max.) à Id, Vgs
3,25mohms à 20A, 10V3,3mohms à 10A, 10V3,5mohms à 15A, 4,5V3,7mohms à 20A, 10V3,7mohms à 26,1A, 4,5V3,8mohms à 15A, 4,5V3,8mohms à 20A, 10V3,9mohms à 20A, 10V4mohms à 20A, 10V4mohms à 35A, 10V4,4mohms à 20A, 10V4,5mohms à 10A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
1V à 250µA1V à 250µA (min)1,2V à 250µA1,5V à 250µA1,8V à 250µA2V à 130µA2V à 250µA2,1V à 1mA2,2V à 1mA2,2V à 250µA2,3V à 250µA2,4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
6 nC @ 4.5 V8 nC @ 10 V12.4 nC @ 10 V13 nC @ 5 V14 nC @ 10 V15 nC @ 10 V16 nC @ 10 V17 nC @ 5 V18 nC @ 10 V18.2 nC @ 10 V19.7 nC @ 10 V20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
-8V, +19V±8V±10V±12V+15V, -4V+16V, -10V±16V+18V, -8V±18V+19V, -8V+20V, -10V+20V, -2V±20V+22V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
544 pF @ 50 V660 pF @ 600 V680 pF @ 25 V725 pF @ 25 V800 pF @ 25 V800 pF @ 50 V838 pF @ 1000 V845 pF @ 13 V870 pF @ 25 V872 pF @ 25 V885 pF @ 25 V930 pF @ 400 V
Fonction FET
-Diode de détection de températureDiode Schottky (substrat)
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)1W (Ta), 26W (Tc)1W (Ta), 77W (Tc)1W (Ta), 97W (Tc)1,3W (Ta)2W (Ta), 44W (Tc)2W (Ta), 72,6W (Tc)3W (Ta), 73W (Tc)3,2W3,5W (Ta), 50W (Tc)3,7W (Ta), 39W (Tc)3,7W (Ta), 52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)-55°C ~ 175°C (TJ)-50°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 150°C (TJ)-40°C ~ 175°C (TJ)150°C150°C (TJ)175°C175°C (TJ)-
Grade
-Automobile
Qualification
-AEC-Q101
Type de montage
Montage en surfaceMontage en surface, joints de brasure visiblesMontage sur châssisTrou traversant
Boîtier fournisseur
8-DFN (3,15x3,05)8-DFN (4,9x5,75)8-HSON8-HSON (5x5,4)8-HSOP8-PDFN (SPR-PAK ) (3,3x3,3)8-PPAK (3,1x3,05)8-PPAK (5,1x5,71)8-QFN (3x3)Boîtier complet PG-TO220Boîtier complet TO-220ABD2PAK
Boîtier
8-PowerLDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SMD, sortie plate, plot exposé8-VDFN plot exposéBoîtier complet TO-220-3Boîtier complet TO-3P-3DirectFET™ Isometric L8ISOPLUS220™PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8
Options de stockage
Options environnementales
Supports
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Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
194 446
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,29845 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
12,3mohms à 13,9A, 10V
2,5V à 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
61 146
En stock
1 : 0,67000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,25604 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
2,5V, 10V
4,4mohms à 20A, 10V
1,5V à 250µA
183 nC @ 10 V
±12V
5590 pF @ 10 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
23 467
En stock
1 : 0,87000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36143 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,6mohms à 16,2A, 10V
2,2V à 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7625DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
23 973
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,41823 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
126 nC @ 10 V
±20V
4427 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7101DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
9 957
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,46470 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,2mohms à 15A, 10V
2,5V à 250µA
102 nC @ 10 V
±25V
3595 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD30NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
864
En stock
1 : 1,40000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,63428 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
5V, 10V
28mohms à 18A, 10V
2,5V à 250µA
31 nC @ 5 V
±20V
1600 pF @ 25 V
-
70W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PowerPAK 1212-8
SIS443DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
51 676
En stock
1 : 1,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,59378 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
11,7mohms à 15A, 10V
2,3V à 250µA
135 nC @ 10 V
±20V
4370 pF @ 20 V
-
3,7W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
MFG_DPAK(TO252-3)
STD35NF06LT4
MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
STMicroelectronics
3 352
En stock
1 : 1,44000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,59817 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
17mohms à 17,5A, 10V
2,5V à 250µA
33 nC @ 4.5 V
±16V
1700 pF @ 25 V
-
80W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
DPAK
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
10 729
En stock
1 : 3,05000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 1,42716 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
200 V
35 A (Tc)
10V
35mohms à 35A, 10V
4V à 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
D2Pak
STB45N50DM2AG
MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
STMicroelectronics
2 576
En stock
1 : 5,99000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 3,39843 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
35 A (Tc)
10V
84mohms à 17,5A, 10V
5V à 250µA
57 nC @ 10 V
±25V
2600 pF @ 100 V
-
250W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220-F
STF45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220FP
STMicroelectronics
1 149
En stock
1 : 7,00000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
40W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220FP
Boîtier complet TO-220-3
D2Pak
STB45N65M5
MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STMicroelectronics
1 283
En stock
1 : 7,17000 €
Bande coupée (CT)
1 000 : 4,06573 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263 (D2PAK)
TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
TO-220-3
IPP60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
Infineon Technologies
678
En stock
1 : 7,32000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
600 V
35 A (Tc)
10V
60mohms à 15,9A, 10V
4V à 800µA
68 nC @ 10 V
±20V
2850 pF @ 400 V
-
162W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
PG-TO220-3
TO-220-3
TO-220-3
STP45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
STMicroelectronics
832
En stock
1 : 7,36000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
TO-247-3 HiP
STW45N65M5
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STMicroelectronics
1 560
En stock
1 : 7,86000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
650 V
35 A (Tc)
10V
78mohms à 19,5 A, 10V
5V à 250µA
91 nC @ 10 V
±20V
3375 pF @ 100 V
-
210W (Tc)
150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
C3M0065090J
C3M0065090J
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
4 276
En stock
1 : 18,47000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
900 V
35 A (Tc)
15V
78mohms à 20A, 15V
3,5V à 5mA
30 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
-
113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
C3M0065090J-TR
C3M0065090J-TR
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2 211
En stock
1 : 18,47000 €
Bande coupée (CT)
800 : 12,75226 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
900 V
35 A (Tc)
15V
78mohms à 20A, 15V
3,5V à 5mA
30 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
-
113W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
C3M0065090J
C3M0065100J
SICFET N-CH 1000V 35A D2PAK-7
Wolfspeed, Inc.
2 198
En stock
1 : 19,97000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1000 V
35 A (Tc)
15V
78mohms à 20A, 15V
3,5V à 5mA
35 nC @ 15 V
+15V, -4V
660 pF @ 600 V
-
113,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
D2PAK-7
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
C3M0065100K
C3M0065100K
SICFET N-CH 1000V 35A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
691
En stock
1 : 19,97000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
SiCFET (carbure de silicium)
1000 V
35 A (Tc)
15V
78mohms à 20A, 15V
3,5V à 5mA
35 nC @ 15 V
+19V, -8V
660 pF @ 600 V
-
113,5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-4L
TO-247-4
TO-252 D-Pak Top
DMPH6023SK3-13
MOSFET P-CHANNEL 60V 35A TO252
Diodes Incorporated
2 529
En stock
1 : 0,79000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,32529 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
33mohms à 10A, 10V
3V à 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
3,2W
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-252 (DPAK)
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
PowerPAK 1212-8
SI7114ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
21 606
En stock
1 : 0,85000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,28089 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
7,5mohms à 18A, 10V
2,5V à 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1230 pF @ 15 V
-
3,7W (Ta), 39W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SI7129DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
11 223
En stock
1 : 0,89000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,36789 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
11,4mohms à 14,4A, 10V
2,8V à 250µA
71 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 15 V
-
3,8W (Ta), 52,1W (Tc)
-50°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS454DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
8 666
En stock
1 : 0,91000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,37434 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
3,7mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
53 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 10 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SIS410DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
9 192
En stock
1 : 0,96000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,40016 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
4,8mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 10 V
-
3,8W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
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Montage en surface
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO252-3
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
Infineon Technologies
9 660
En stock
1 : 0,98000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,52667 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
120 V
35 A (Tc)
4,5V, 10V
24mohms à 35A, 10V
2,4V à 39µA
39 nC @ 10 V
±20V
2700 pF @ 25 V
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71W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
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Montage en surface
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Affichage de
sur 304

35 A (Tc) FET, MOSFET simples


Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.