SI4922BDY-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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MOSFET - Matrices 30V 8A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SI4922BDY-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SI4922BDY-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SI4922BDY-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI4922BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI4922BDY-T1-GE3
Description
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 30V 8A 3,1W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
1,8V à 250µA
Fabricant
Vishay Siliconix
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
62nC à 10V
Série
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
2070pF à 15V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Puissance - Max.
3,1W
Statut du composant
Obsolète
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Type de montage
Montage en surface
Configuration
2 canaux N (double)
Boîtier
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss)
30V
Boîtier fournisseur
8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
8A
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
16mohms à 5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (10)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
AO4818BAlpha & Omega Semiconductor Inc.15 278785-1059-1-ND1,16000 €Similaire
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.