Name: IRF7907TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7907TRPBFTR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

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IRF7907TRPBF
Numéro de produit DigiKey	IRF7907TRPBFTR-ND - Bande et bobine IRF7907TRPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRF7907TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRF7907TRPBF
Description	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 9,1 A, 11 A 2W Montage en surface 8-SO
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRF7907TRPBF Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 16,4mohms à 9,1A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 2,35V à 25µA
Série HEXFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850pF à 15V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SO
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,1 A, 11 A	Numéro de produit de base IRF7907

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 80 939

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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