Name: STS8DN3LLH5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10391-2-ND
Price: 2.484 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

STS8DN3LLH5
Numéro de produit DigiKey	497-10391-2-ND - Bande et bobine 497-10391-1-ND - Bande coupée (CT) 497-10391-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	STMicroelectronics
Numéro de produit du fabricant	STS8DN3LLH5
Description	MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	13 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 30V 10A 2,7W Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	STS8DN3LLH5 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Rds On (max.) à Id, Vgs 19mohms à 5A, 10V
Fabricant STMicroelectronics	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Série STripFET™ V	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5,4nC à 4,5V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 724pF à 25V
Statut du composant Actif	Puissance - Max. 2,7W
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface
Fonction FET Porte de niveau logique	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension drain-source (Vdss) 30V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A	Numéro de produit de base STS8DN3