Name: FDN302P
Brand: onsemi
SKU: FDN302PTR-ND
Price: 0.708 EUR
Availability: InStock

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FDN302P
Numéro de produit DigiKey	FDN302PTR-ND - Bande et bobine FDN302PCT-ND - Bande coupée (CT) FDN302PDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDN302P
Description	MOSFET P-CH 20V 2.4A SUPERSOT3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	30 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 2,4 A (Ta) 500mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDN302P Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC @ 4.5 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 882 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 500mW (Ta)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 155°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,4 A (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Numéro de produit de base FDN302
Rds On (max.) à Id, Vgs 55mohms à 2,4A, 4,5V