onsemi FET, MOSFET simples

Résultats : 7 304
Options de stockage
Options environnementales
Supports
Exclure
7 304Résultats
Filtres appliqués Tout supprimer
Affichage de
sur 7 304
Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
MMBT2222AWT1G
2N7002WT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
73 112
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03256 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
333 678
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03352 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
347 740
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03573 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
517 705
En stock
1 : 0,20000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03959 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
739 664
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04618 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
220mA (Ta)
2,7V, 4,5V
4ohms à 400mA, 4,5V
1,06V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MMBF170LT1G
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
onsemi
113 243
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04544 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 10 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2V7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
46 541
En stock
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04470 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 723
NTK3134NT5G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT723
onsemi
0
En stock
8 000
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 0,22000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03892 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
750mA (Ta)
1,5V, 4,5V
350mohms à 890mA, 4,5V
1,2V à 250µA
-
±6V
120 pF @ 16 V
-
310mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-723
SOT-723
SC-75
NTA7002NT1G
MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
onsemi
178 075
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04764 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
154mA (Tj)
2,5V, 4,5V
7ohms à 154mA, 4,5V
1,5V à 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
SC-75
NTA4153NT1G
MOSFET N-CH 20V 915MA SC75
onsemi
42 023
En stock
1 : 0,23000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04854 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
915mA (Ta)
1,5V, 4,5V
230mohms à 600mA, 4,5V
1,1V à 250µA
1.82 nC @ 4.5 V
±6V
110 pF @ 16 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-75, SOT-416
SC-75, SOT-416
MMBD1401ALT1G
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
791 472
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04924 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
1,6V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
489 731
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04939 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 100mA, 10V
2,6V à 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT3G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
96 086
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04169 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
0
En stock
207 900
Marketplace
Vérifier le délai d'approvisionnement
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05241 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT1G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
7 496
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05112 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,4V à 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
2 118
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05068 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
MMBF170
MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
onsemi
23 043
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05255 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
500mA (Ta)
10V
5ohms à 200mA, 10V
3V à 1mA
-
±20V
40 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002K
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23
onsemi
340 420
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05553 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
BSS138K
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
147 946
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05581 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Ta)
1,8V, 2,5V
1,6ohms à 50mA, 5V
1,2V à 250µA
2.4 nC @ 10 V
±12V
58 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
NDS7002A
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT-23
onsemi
135 492
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05538 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
2ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-65°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4003NT3G
MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3
onsemi
3 595
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,04720 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
500mA (Ta)
2,5V, 4V
1,5ohms à 10mA, 4V
1,4V à 250µA
1.15 nC @ 5 V
±20V
21 pF @ 5 V
-
690mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
336 937
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05735 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA
4,5V, 10V
5ohms à 200mA, 10V
2V à 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BVSS138LT1G
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
onsemi
30 349
En stock
1 : 0,28000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05902 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
5V
3,5ohms à 200mA, 5V
1,5V à 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
BSS84
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
204 634
En stock
1 : 0,29000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06096 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
4,5V, 10V
8ohms à 150mA, 10V
2V à 250µA
1.3 nC @ 5 V
±20V
73 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BCV27
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
160 548
En stock
1 : 0,30000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06371 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
680mA (Ta)
2,7V, 4,5V
450mohms à 500mA, 4,5V
1,5V à 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 155°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 7 304

FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.