Name: FDMS86104
Brand: onsemi
SKU: FDMS86104TR-ND
Price: 3.648 EUR
Availability: InStock

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FDMS86104
Numéro de produit DigiKey	FDMS86104TR-ND - Bande et bobine FDMS86104CT-ND - Bande coupée (CT) FDMS86104DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDMS86104
Description	MOSFET N-CH 100V 7A/16A 8PQFN
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 7 A (Ta), 16 A (Tc) 2,5W (Ta), 73W (Tc) Montage en surface 8-PQFN (5x6)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDMS86104 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 16 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 923 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2,5W (Ta), 73W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur 8-PQFN (5x6)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Ta), 16 A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base FDMS86
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 7A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
BSC196N10NSGATMA1	Infineon Technologies	541	BSC196N10NSGATMA1CT-ND	1,67000 €	Similaire
BSC252N10NSFGATMA1	Infineon Technologies	273	BSC252N10NSFGATMA1CT-ND	1,55000 €	Similaire
STL40N10F7	STMicroelectronics	2 586	497-13968-1-ND	1,94000 €	Similaire