8-PowerTDFN FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PG-TDSON-8-5
BSC050NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Infineon Technologies
10 120
En stock
1 : 0,50000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,21451 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
39 A (Ta), 58 A (Tc)
4,5V, 10V
5mohms à 30A, 10V
2V à 250µA
10.4 nC @ 10 V
±20V
760 pF @ 12 V
-
2,5W (Ta), 28W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC084P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
Infineon Technologies
4 867
En stock
1 : 0,65000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,34696 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
14,9 A (Ta), 78,6 A (Tc)
6V, 10V
8,4mohms à 50A, 10V
3,1V à 105µA
58 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2,5W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC093N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 13A/49A TDSON
Infineon Technologies
45 633
En stock
1 : 0,66000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,19435 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
13 A (Ta), 49 A (Tc)
4,5V, 10V
9,3mohms à 40A, 10V
2V à 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
36 569
En stock
1 : 0,67000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,17594 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
6mohms à 20A, 10V
2V à 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2,1W (Ta), 26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ063N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
4 479
En stock
1 : 0,67000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,39481 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
15 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
6,3mohms à 20A, 10V
2,3V à 250µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 38W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
IRFHM9331TRPBF
MOSFET P-CH 30V 11A/24A PQFN
Infineon Technologies
7 654
En stock
1 : 0,71000 €
Bande coupée (CT)
4 000 : 0,22071 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta), 24 A (Tc)
10V, 20V
10mohms à 11A, 20V
2,4V à 25µA
48 nC @ 10 V
±25V
1543 pF @ 25 V
-
2,8W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PQFN (3x3)
8-PowerTDFN
DMTH8008LPSQ-13
DMTH6016LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Diodes Incorporated
5 145
En stock
1 : 0,73000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,19005 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
10,6 A (Ta), 37,1 A (Tc)
4,5V, 10V
16mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
3W (Ta), 37,5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
DMTH8008LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Diodes Incorporated
57 648
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,17029 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
9,8 A (Ta), 37 A (Tc)
4,5V, 10V
16mohms à 20A, 10V
2,5V à 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
2,6W (Ta), 37,5W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC059N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 16A/73A TDSON
Infineon Technologies
3 544
En stock
1 : 0,78000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,25591 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
16 A (Ta), 73 A (Tc)
4,5V, 10V
5,9mohms à 50A, 10V
2V à 23µA
40 nC @ 10 V
±20V
3200 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 50W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
9 382
En stock
1 : 0,81000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,25853 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
12 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
9,7mohms à 20A, 10V
2V à 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 35W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ120P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
32 634
En stock
1 : 0,83000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,21404 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
11 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
12mohms à 20A, 10V
3,1V à 73µA
45 nC @ 10 V
±25V
3360 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC019N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Infineon Technologies
10 534
En stock
1 : 0,91000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,51254 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
27 A (Ta), 100 A (Tc)
4,5V, 10V
1,9mohms à 50A, 10V
2V à 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 20 V
-
2,5W (Ta), 78W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-5
BSC340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 7A/23A TDSON-8-5
Infineon Technologies
74 358
En stock
1 : 0,96000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27473 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
80 V
7 A (Ta), 23 A (Tc)
6V, 10V
34mohms à 12A, 10V
3,5V à 12µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
756 pF @ 40 V
-
2,5W (Ta), 32W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ034N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 19A/40A TSDSON
Infineon Technologies
33 870
En stock
1 : 0,99000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,32858 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
19 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
3,4mohms à 20A, 10V
2V à 250µA
25 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2,1W (Ta), 52W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ099N06LS5ATMA1
MOSFET N-CH 60V 46A TSDSON
Infineon Technologies
15 820
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,30373 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
46 A (Tc)
4,5V, 10V
9,9mohms à 20A, 10V
2,3V à 14µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
8 646
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,32365 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
14 A (Ta), 44 A (Tc)
3V, 8V
10,3mohms à 10A, 8V
1,8V à 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V, -8V
700 pF @ 15 V
-
2,7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD16406Q3
MOSFET N-CH 25V 19A/60A 8VSON
Texas Instruments
4 900
En stock
1 : 1,01000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,41701 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
19 A (Ta), 60 A (Tc)
4,5V, 10V
5,3mohms à 20A, 10V
2,2V à 250µA
8.1 nC @ 4.5 V
+16V, -12V
1100 pF @ 12.5 V
-
2,7W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
PG-TSDSON-8
BSZ086P03NS3EGATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
15 548
En stock
1 : 1,02000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,28074 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
13,5 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
8,6mohms à 20A, 10V
3,1V à 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
6 701
En stock
1 : 1,04000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,30051 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
80 A (Tc)
4,5V, 10V
3,29mohms à 40A, 10V
2V à 18µA
25 nC @ 10 V
±16V
1515 pF @ 25 V
-
50W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
14 404
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,27994 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
60 A (Tc)
4,5V, 10V
4,02mohms à 30A, 10V
2V à 14µA
20 nC @ 10 V
±16V
1179 pF @ 25 V
-
42W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
8 VSONP
CSD19534Q5A
MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Texas Instruments
11 384
En stock
1 : 1,05000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,36223 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
44 A (Tc)
6V, 10V
15,1mohms à 10A, 10V
3,4V à 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
3,2W (Ta), 63W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSONP (5x6)
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC265N10LSFGATMA1
MOSFET N-CH 100V 6.5A/40A TDSON
Infineon Technologies
17 176
En stock
1 : 1,07000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,32908 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
6,5 A (Ta), 40 A (Tc)
4,5V, 10V
26,5mohms à 20A, 10V
2,4V à 43µA
21 nC @ 10 V
±20V
1600 pF @ 50 V
-
78W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
CSD16323Q3
CSD17575Q3
MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON
Texas Instruments
44 573
En stock
1 : 1,09000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,36411 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
60 A (Ta)
4,5V, 10V
2,3mohms à 25A, 10V
1,8V à 250µA
30 nC @ 4.5 V
±20V
4420 pF @ 15 V
-
2,8W (Ta), 108W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
Infineon Technologies
6 597
En stock
1 : 1,09000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,54237 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
8 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
9,7mohms à 20A, 10V
3,8V à 36µA
28 nC @ 10 V
±20V
2080 pF @ 50 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8 PowerTDFN
BSZ042N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12 823
En stock
1 : 1,12000 €
Bande coupée (CT)
5 000 : 0,60655 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
17 A (Ta), 40 A (Tc)
6V, 10V
4,2mohms à 20A, 10V
2,8V à 36µA
27 nC @ 10 V
±20V
2000 pF @ 30 V
-
2,1W (Ta), 69W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
Affichage de
sur 2 006

8-PowerTDFN FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.