Name: IAUZ18N10S5L420ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND
Price: 1.332 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IAUZ18N10S5L420ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IAUZ18N10S5L420ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IAUZ18N10S5L420ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUZ18N10S5L420ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 18A TSDSON-8-32
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 18 A (Tc) 30W (Tc) Montage en surface PG-TSDSON-8-32
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUZ18N10S5L420ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ 5
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	42mohms à 9A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 8µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	470 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TSDSON-8-32
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	IAUZ18