
SIS110DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS110DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS110DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS110DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 7,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 54mohms à 4A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 13 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 550 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,2W (Ta), 24W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,06000 € | 1,06 € |
| 10 | 0,66600 € | 6,66 € |
| 100 | 0,43780 € | 43,78 € |
| 500 | 0,33960 € | 169,80 € |
| 1 000 | 0,30798 € | 307,98 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,26781 € | 803,43 € |
| 6 000 | 0,24759 € | 1 485,54 € |
| 9 000 | 0,23728 € | 2 135,52 € |
| 15 000 | 0,22571 € | 3 385,65 € |
| 21 000 | 0,21886 € | 4 596,06 € |
| 30 000 | 0,21220 € | 6 366,00 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,06000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,27200 € |






