Infineon Technologies FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
127 941
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03199 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS138NH6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
179 069
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04125 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
230mA (Ta)
4,5V, 10V
3,5ohms à 230mA, 10V
1,4V à 26µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
41 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT323
BSS816NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
22 936
En stock
1 : 0,21000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05175 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,4 A (Ta)
1,8V, 2,5V
160mohms à 1,4A, 2,5V
750mV à 3,7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
PG-SOT23
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
117 272
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04234 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 190mA, 10V
1,8V à 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2803TRPBF
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
183 438
En stock
1 : 0,29000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07056 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,2 A (Ta)
4,5V, 10V
250mohms à 910mA, 10V
1V à 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6246TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
104 050
En stock
1 : 0,32000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05739 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,1 A (Ta)
2,5V, 4,5V
46mohms à 4,1A, 4,5V
1,1V à 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
28 023
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08329 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
760mA (Ta)
4,5V, 10V
600mohms à 600mA, 10V
1V à 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0030TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
135 750
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07433 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5,3 A (Ta)
4,5V, 10V
27mohms à 5,2A, 10V
2,3V à 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS314PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
75 637
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07167 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,5 A (Ta)
4,5V, 10V
140mohms à 1,5A, 10V
2V à 6,3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6344TRPBF
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
18 203
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08938 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5 A (Ta)
2,5V, 4,5V
29mohms à 5A, 4,5V
1,1V à 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRFML8244TRPBF
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
11 702
En stock
1 : 0,35000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07809 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
5,8 A (Ta)
4,5V, 10V
24mohms à 5,8A, 10V
2,35V à 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS306NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
100 896
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07621 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,3 A (Ta)
4,5V, 10V
57mohms à 2,3A, 10V
2V à 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-220AB PKG
IRFB7545PBF
MOSFET N-CH 60V 95A TO220
Infineon Technologies
35 704
En stock
1 : 0,37000 €
Tube
Tube
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
95 A (Tc)
6V, 10V
5,9mohms à 57A, 10V
3,7V à 100µA
110 nC @ 10 V
±20V
4010 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-220
TO-220-3
PG-SOT23
BSS83PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
168 324
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08205 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
330mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 330mA, 10V
2V à 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
17 264
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08039 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
12 V
4,3 A (Ta)
1,8V, 4,5V
50mohms à 4,3A, 4,5V
950mV à 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
348 970
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06304 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6,3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
21mohms à 6,3A, 4,5V
1,1V à 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6402TRPBF
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Infineon Technologies
62 940
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08329 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,7 A (Ta)
2,5V, 4,5V
65mohms à 3,7A, 4,5V
1,2V à 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
633 pF @ 10 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
244 038
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08814 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2 A (Ta)
4,5V, 10V
80mohms à 2A, 10V
2V à 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
49 093
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08562 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
3,6 A (Ta)
4,5V, 10V
56mohms à 3,6A, 10V
2,5V à 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-TO252-3
IPD50R3K0CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Infineon Technologies
21 467
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 0,13454 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
500 V
1,7 A (Tc)
13V
3ohms à 400mA, 13V
3,5V à 30µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
84 pF @ 100 V
-
26W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
PG-TO252-3
TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
SOT-23-3
IRLML5203TRPBF
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
11 962
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09007 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
98mohms à 3A, 10V
2,5V à 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
36 977
En stock
1 : 0,44000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09973 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
1,6 A (Ta)
4,5V, 10V
220mohms à 1,6A, 10V
2,5V à 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
40 682
En stock
1 : 0,45000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09032 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,2 A (Ta)
2,5V, 4,5V
45mohms à 4,2A, 4,5V
1,2V à 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
77 818
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13172 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
3,7 A (Ta)
1,8V, 2,5V
23mohms à 3,7A, 2,5V
750mV à 30µA
4.7 nC @ 2.5 V
±8V
1447 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SC59-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML0060TRPBF
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23
Infineon Technologies
137 629
En stock
1 : 0,47000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09408 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
2,7 A (Ta)
4,5V, 10V
92mohms à 2,7A, 10V
2,5V à 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
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Infineon Technologies FET, MOSFET simples

Les transistors à effet de champ (FET) discrets sont largement utilisés dans la conversion de puissance, la commande de moteur, l'éclairage à semi-conducteurs et d'autres applications dans lesquelles leur capacité caractéristique à être activés et désactivés à des fréquences élevées tout en transmettant de grandes quantités de courant est un avantage. Ils sont utilisés presque universellement pour les applications nécessitant une tension nominale de quelques centaines de volts maximum. Pour des tensions supérieures, d'autres types de dispositifs, comme les IGBT, deviennent plus compétitifs.