Infineon Technologies FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
PG-SOT23
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
282 740
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04826 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
170mA (Ta)
4,5V, 10V
8ohms à 170mA, 10V
2V à 20µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
19 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Infineon Technologies
1 402
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,04935 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
1,8V à 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
45 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT323
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT323-3
Infineon Technologies
35 417
En stock
1 : 0,25000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05329 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
280mA (Ta)
4,5V, 10V
3,5ohms à 200mA, 10V
1,4V à 26µA
1.5 nC @ 10 V
±20V
43 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
PG-SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Infineon Technologies
358 824
En stock
1 : 0,26000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05490 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,4 A (Ta)
4,5V, 10V
160mohms à 1,4A, 10V
2V à 3,7µA
0.6 nC @ 5 V
±20V
94 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
248 814
En stock
1 : 0,27000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05861 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
190mA (Ta)
4,5V, 10V
6ohms à 190mA, 10V
1,8V à 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT323
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT323-3
Infineon Technologies
153 227
En stock
1 : 0,28000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,05777 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,4 A (Ta)
1,8V, 2,5V
160mohms à 1,4A, 2,5V
750mV à 3,7µA
0.6 nC @ 2.5 V
±8V
180 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT323
SC-70, SOT-323
PG-SOT23
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
187 069
En stock
1 : 0,31000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,06474 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
1,5 A (Ta)
2,5V, 4,5V
140mohms à 1,5A, 4,5V
1,2V à 3,7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
Infineon Technologies
25 548
En stock
1 : 0,33000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07127 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
240 V
110mA (Ta)
4,5V, 10V
14ohms à 100mA, 10V
1,8V à 56µA
3.1 nC @ 10 V
±20V
77 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 20V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
369 939
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07241 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
2,3 A (Ta)
1,8V, 2,5V
57mohms à 2,3A, 2,5V
750mV à 11µA
1.7 nC @ 2.5 V
±8V
529 pF @ 10 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET P-CH 30V 1.5A SOT23-3
Infineon Technologies
9 428
En stock
1 : 0,34000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07199 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,5 A (Ta)
4,5V, 10V
140mohms à 1,5A, 10V
2V à 6,3µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
294 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Infineon Technologies
16 598
En stock
1 : 0,36000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07739 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
1,2 A (Ta)
4,5V, 10V
250mohms à 910mA, 10V
1V à 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
85 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET P-CH 60V 330MA SOT23-3
Infineon Technologies
26 858
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,07843 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
330mA (Ta)
4,5V, 10V
2ohms à 330mA, 10V
2V à 80µA
3.57 nC @ 10 V
±20V
78 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23
Infineon Technologies
108 424
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08187 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,1 A (Ta)
2,5V, 4,5V
46mohms à 4,1A, 4,5V
1,1V à 5µA
3.5 nC @ 4.5 V
±12V
290 pF @ 16 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
44 555
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08285 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Date de dernière disponibilité
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
4,3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
54mohms à 4,3A, 4,5V
1,1V à 10µA
6.9 nC @ 4.5 V
±12V
570 pF @ 16 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
34 657
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08382 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
6,3 A (Ta)
2,5V, 4,5V
21mohms à 6,3A, 4,5V
1,1V à 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 30V 2.3A SOT23-3
Infineon Technologies
139 781
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08409 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2,3 A (Ta)
4,5V, 10V
57mohms à 2,3A, 10V
2V à 11µA
1.5 nC @ 5 V
±20V
275 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Infineon Technologies
34 030
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08562 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
25 V
5,8 A (Ta)
4,5V, 10V
24mohms à 5,8A, 10V
2,35V à 10µA
5.4 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 10 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 3.4A SOT23
Infineon Technologies
84 029
En stock
1 : 0,40000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08658 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3,4 A (Ta)
2,5V, 4,5V
63mohms à 3,4A, 4,5V
1,1V à 10µA
2.9 nC @ 4.5 V
±12V
270 pF @ 24 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
135 529
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08823 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
760mA (Ta)
4,5V, 10V
600mohms à 600mA, 10V
1V à 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
Infineon Technologies
7 902
En stock
1 : 0,41000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08809 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
2 A (Ta)
4,5V, 10V
80mohms à 2A, 10V
2V à 11µA
5 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 15 V
-
500mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
71 552
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09315 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
40 V
3,6 A (Ta)
4,5V, 10V
56mohms à 3,6A, 10V
2,5V à 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
67 706
En stock
1 : 0,42000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09247 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Date de dernière disponibilité
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
3 A (Ta)
4,5V, 10V
98mohms à 3A, 10V
2,5V à 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
510 pF @ 25 V
-
1,25W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 5A MICRO3/SOT23
Infineon Technologies
29 818
En stock
1 : 0,44000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09774 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5 A (Ta)
2,5V, 4,5V
29mohms à 5A, 4,5V
1,1V à 10µA
6.8 nC @ 4.5 V
±12V
650 pF @ 25 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Infineon Technologies
115 409
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10136 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
5,3 A (Ta)
4,5V, 10V
27mohms à 5,2A, 10V
2,3V à 25µA
2.6 nC @ 4.5 V
±20V
382 pF @ 15 V
-
1,3W (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
Micro3™/SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
Infineon Technologies
150 776
En stock
1 : 0,50000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11193 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N, mode de déplétion
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
230mA (Ta)
0V, 10V
3,5ohms à 160mA, 10V
2,4V à 26µA
1.4 nC @ 5 V
±20V
39 pF @ 25 V
-
360mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Affichage de
sur 7 980

FET simple, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.