Name: BSC030P03NS3GAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC030P03NS3GAUMA1TR-ND
Price: 2.268 EUR
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

BSC030P03NS3GAUMA1
Numéro de produit DigiKey	BSC030P03NS3GAUMA1TR-ND - Bande et bobine BSC030P03NS3GAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) BSC030P03NS3GAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	BSC030P03NS3GAUMA1
Description	MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	26 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 25,4 A (Ta), 100 A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montage en surface PG-TDSON-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	BSC030P03NS3GAUMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	25,4 A (Ta), 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3mohms à 50A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,1V à 345µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	186 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	14000 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-1
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	BSC030