AOB1100L est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 6 209
Prix unitaire : 3,31000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 949
Prix unitaire : 2,49000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 284
Prix unitaire : 2,98000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 10 340
Prix unitaire : 3,50000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 2 096
Prix unitaire : 4,50000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 097
Prix unitaire : 1,84000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 0
Prix unitaire : 2,69000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 7 675
Prix unitaire : 3,13000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 519
Prix unitaire : 1,79000 €
Fiche technique

Similaire


Infineon Technologies
En stock: 1 600
Prix unitaire : 0,85071 €
Fiche technique

Similaire


IXYS
En stock: 0
Prix unitaire : 4,12000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 1 343
Prix unitaire : 2,77000 €
Fiche technique

Similaire


onsemi
En stock: 1 544
Prix unitaire : 1,67175 €
Fiche technique

Similaire


Nexperia USA Inc.
En stock: 324
Prix unitaire : 2,71000 €
Fiche technique
AOB290L
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

AOB1100L

Numéro de produit DigiKey
785-1319-2-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
AOB1100L
Description
MOSFET N-CH 100V 8A/130A TO263
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 8 A (Ta), 130 A (Tc) 2,1W (Ta), 500W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
-
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
11,7mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
3,8V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4833 pF @ 25 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2,1W (Ta), 500W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Boîtier
Numéro de produit de base
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.