PSMN013-100BS,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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PSMN013-100BS,118
Numéro de produit DigiKey	1727-7104-2-ND - Bande et bobine 1727-7104-1-ND - Bande coupée (CT) 1727-7104-6-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	PSMN013-100BS,118
Description	MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 68 A (Tc) 170W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Fabricant Nexperia USA Inc.	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 59 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Obsolète	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3195 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 170W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 68 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 13,9mohms à 15A, 10V	Numéro de produit de base PSMN013

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (12)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB120N10	onsemi	34	FDB120N10CT-ND	2,73000 €	Similaire
FDB3652	onsemi	607	FDB3652CT-ND	2,67000 €	Similaire
HUF75645S3ST	onsemi	8 210	HUF75645S3STCT-ND	3,47000 €	Similaire
HUFA75645S3S	onsemi	1 296	HUFA75645S3SCT-ND	4,73000 €	Similaire
IPB70N10S3L12ATMA1	Infineon Technologies	4 632	448-IPB70N10S3L12ATMA1CT-ND	3,10000 €	Similaire

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Bande coupée (CT)

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Prix unitaire avec TVA:	2,76000 €

PSMN013-100BS,118