Name: IXTA80N10T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA80N10T-ND
Price: 4.956 EUR
Availability: OutOfStock

IXTA80N10T
Numéro de produit DigiKey	238-IXTA80N10T-ND
Fabricant	IXYS
Numéro de produit du fabricant	IXTA80N10T
Description	MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 80 A (Tc) 230W (Tc) Montage en surface TO-263AA
Fiche technique	Fiche technique

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	IXYS
Série	Trench
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	80 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	14mohms à 25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3040 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	230W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	TO-263AA
Boîtier	TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Numéro de produit de base	IXTA80

Prix unitaire sans TVA:	4,13000 €
Prix unitaire avec TVA:	4,95600 €

IXTA80N10T