BUK7613-100E,118 Nexperia USA Inc. | FET, MOSFET simples

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BUK7613-100E,118
Numéro de produit DigiKey	1727-1087-2-ND - Bande et bobine 1727-1087-1-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Nexperia USA Inc.
Numéro de produit du fabricant	BUK7613-100E,118
Description	MOSFET N-CH 100V 72A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 72 A (Tc) 182W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 97.2 nC @ 10 V
Fabricant Nexperia USA Inc.	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4533 pF @ 20 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Dissipation de puissance (max.) 182W (Tc)
Statut du composant Obsolète	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 72 A (Tc)	Boîtier fournisseur D2PAK
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Rds On (max.) à Id, Vgs 13mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base BUK7613
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB3652	onsemi	1 407	FDB3652CT-ND	2,67000 €	Similaire
HUF75645S3ST	onsemi	8 158	HUF75645S3STCT-ND	3,58000 €	Similaire
HUFA75645S3S	onsemi	1 296	HUFA75645S3SCT-ND	4,73000 €	Similaire
IRFS4510TRLPBF	Infineon Technologies	1 600	448-IRFS4510TRLPBFTR-ND	0,93033 €	Similaire

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Tous les prix sont en EUR

Bande coupée (CT)

Bande et bobine

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Prix unitaire avec TVA:	3,36000 €

BUK7613-100E,118