Redresseurs SiC

La commutation des diodes Schottky structurées en carbure de silicium de STMicroelectronics permet aux concepteurs d'atteindre un niveau plus élevé de rendement et de densité de puissance. Couvrant des courants nominaux de 2 A à 40 A, les gammes de diodes SiC de 650 V et 1200 V de ST comprennent des dispositifs homologués AEC-Q101 pour l'industrie automobile et dédiés à l'industrie, conditionnés en boîtiers DPAK HV (haute tension) et D²PAK à montage en surface, ou en boîtiers TO-220AC et TO-247LL (Long-Lead) à montage traversant.

La gamme de diodes JBS (Junction Barrier Schottky) de 1200 V en carbure de silicium (SiC) de ST répond aux besoins des concepteurs en termes de rendement supérieur, de faible poids, de taille compacte et de caractéristiques thermiques améliorées pour les applications axées sur les performances.

Offrant une excellente tension directe (faible V_F) et une robustesse à la pointe de la technologie, les diodes SiC 1200 V de ST offrent une liberté supplémentaire pour atteindre un rendement et une fiabilité élevés avec un courant nominal inférieur et, par conséquent, un coût moindre, tout en réduisant la température de fonctionnement et en prolongeant la durée de vie des applications. Elles s'adaptent parfaitement à tous les onduleurs et convertisseurs à découpage qui nécessitent une densité de puissance et un rendement extrêmes, tels que les alimentations à découpage, les alimentations secourues, les variateurs moteur et les entraînements solaires.

Couvrant des courants nominaux de 2 A à 40 A, la gamme de diodes SiC de 1200 V de ST comprend des dispositifs homologués AEC-Q101 pour l'industrie automobile et dédiés à l'industrie, conditionnés en boîtiers DPAK HV (haute tension) et D²PAK à montage en surface, ou en boîtiers TO-220AC et TO-247LL (Long-Lead) à montage traversant.

Les diodes SiC de 1200 V de ST permettent d'atteindre des normes élevées et un facteur de forme réduit.