VideoLibrary

On board Chargers in Electric Vehicles

This video will highlight STs discrete portfolio that addresses requirements for the on board charger (OBC) for electric vehicle.

6/10/2020 1:50:07 PM

Part List

ImageRéférence fabricantDescriptionQuantité disponiblePrixAfficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-220STPSC20H065CTYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-22032 - Immédiatement$5.90Afficher les détails
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3STPSC20H12CWYDIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3112 - Immédiatement$8.66Afficher les détails
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-3STPSC20H065CWYDIODE ARRAY SIC 650V 10A TO247-31165 - Immédiatement$6.44Afficher les détails
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAKSTPSC10H065GY-TRDIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK178 - Immédiatement$3.53Afficher les détails
SCR 1.2KV 30A TO-247-3TN3050H-12WYSCR 1.2KV 30A TO-247-3555 - Immédiatement$4.96Afficher les détails
SCR 1.2KV 30A D2PAKTN3050H-12GY-TRSCR 1.2KV 30A D2PAK421 - Immédiatement$4.61Afficher les détails

Related Videos

Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles
Traction Inverter Power Stages in Electric Vehicles

Date de publication : 2020-06-10

STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily
STMicroelectronics Automotive-grade Thyristor | DigiKey Daily

Date de publication : 2017-05-03

Related Product Highlight

Thyristors haute température série TN Les thyristors haute température série TN de STMicroelectronics offrent de la marge pour des dissipateurs thermiques plus petits et un contrôle de charge supérieur.
Thyristors automobiles, TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR Les thyristors 1200 V de grade automobile TN3050H-12WY / TN3050H-12GY-TR de STMicroelectronics sont caractérisés à une température TJ de 150°C et pour une commutation de puissance de 30 Aeff.
MOSFET K5 900 V Puissance et rendement supérieurs grâce aux derniers MOSFET à superjonction MDmesh™ K5 900 V de STMicroelectronics.

Related Articles and Blogs

Les semi-conducteurs à large bande interdite redéfinissent les transports L'ensemble du secteur des transports subit une transformation radicale avec des solutions pour les voitures électriques et hybrides et des transports en commun plus propres.
Semi-conducteurs à large bande interdite dans les applications aérospatiales et satellitaires Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent plusieurs avantages dans la conversion de puissance, notamment l'augmentation de la densité de puissance et du rendement, et la réduction de la taille et du poids des systèmes.
2023 May be the Year You Try Silicon Carbide: Here’s Why Silicon carbide is coming down in cost and can support the development of smaller and more efficient power conversion solutions compared with silicon.