Name: XP4P090N
Brand: YAGEO XSEMI
SKU: 5048-XP4P090NTR-ND
Price: 0.756 EUR
Availability: InStock

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XP4P090N
Numéro de produit DigiKey	5048-XP4P090NTR-ND - Bande et bobine 5048-XP4P090NCT-ND - Bande coupée (CT) 5048-XP4P090NDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	YAGEO XSEMI
Numéro de produit du fabricant	XP4P090N
Description	MOSFET P-CH 40V 3A SOT23
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 3 A (Ta) 1,25W (Ta) Montage en surface SOT-23
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	YAGEO XSEMI
Série	XP4P090
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	90mohms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	8.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	976 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	1,25W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	SOT-23
Boîtier	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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