3 A (Ta) FET, MOSFET simples

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Type de FET	Technologies	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Vgs (max.)	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Fonction FET	Dissipation de puissance (max.)	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier fournisseur	Boîtier
DMG2301L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	64 593 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04518 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 2,8A, 4,5V	1,2V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SI2302-TP MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 MCC (Micro Commercial Components)	5 790 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08497 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohms à 3,6A, 4,5V	1,2V à 50µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	237 pF @ 10 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
AO3421E MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-3L Alpha & Omega Semiconductor Inc.	955 627 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06722 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohms à 3A, 10V	2,5V à 250µA	8 nC @ 10 V	±20V	215 pF @ 15 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	3-SMD, SOT-23-3 variable
CSD17484F4 MOSFET N-CH 30V 3A 3PICOSTAR Texas Instruments	98 640 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07908 € Bande et bobine	FemtoFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	1,8V, 8V	121mohms à 500mA, 8V	1,1V à 250µA	2.04 nC @ 8 V	12V	195 pF @ 15 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	3-PICOSTAR	3-XFDFN
SI2310-TP MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	26 519 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08183 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	10V	125mohms à 3A, 4,5V	2V à 250µA	6 nC @ 4.5 V	±20V	247 pF @ 30 V	-	350mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
IRLML5203TRPBF MOSFET P-CH 30V 3A MICRO3/SOT23 Infineon Technologies	42 401 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08782 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	98mohms à 3A, 10V	2,5V à 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	510 pF @ 25 V	-	1,25W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	Micro3™/SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2123LQ-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	10 771 En stock	1 : 0,54000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12058 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohms à 3,5A, 4,5V	1,25V à 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDN339AN MOSFET N-CH 20V 3A SUPERSOT3 onsemi	32 129 En stock	1 : 0,65000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,15228 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	35mohms à 3A, 4,5V	1,5V à 250µA	10 nC @ 4.5 V	±8V	700 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	-55°C ~ 155°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FDC5614P MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6 onsemi	20 566 En stock	1 : 0,79000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,19344 € Bande et bobine	PowerTrench®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	105mohms à 3A, 10V	3V à 250µA	24 nC @ 10 V	±20V	759 pF @ 30 V	-	1,6W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SuperSOT™-6	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6
ZXMP6A17GTA MOSFET P-CH 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	14 349 En stock	1 : 0,86000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 0,23416 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	125mohms à 2,2A, 10V	1V à 250µA	17.7 nC @ 10 V	±20V	637 pF @ 30 V	-	2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA
NVF3055L108T1G MOSFET N-CH 60V 3A SOT223 onsemi	12 059 En stock	1 : 1,28000 € Bande coupée (CT) 1 000 : 0,38392 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	5V	120mohms à 1,5A, 5V	2V à 250µA	15 nC @ 5 V	±15V	440 pF @ 25 V	-	1,3W (Ta)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-223 (TO-261)	TO-261-4, TO-261AA
EPC2054 TRANS GAN 200V DIE 43MOHM EPC	97 650 En stock	1 : 2,16000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,65642 € Bande et bobine	eGaN®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	GaNFET (nitrure de gallium)	200 V	3 A (Ta)	5V	43mohms à 1A, 5V	2,5V à 1mA	4.3 nC @ 5 V	+6V, -4V	573 pF @ 100 V	-	-	-40°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	MATRICE	MATRICE
SI7898DP-T1-E3 MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	7 035 En stock	1 : 2,21000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,64338 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	85mohms à 3,5A, 10V	4V à 250µA	21 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
FDS2734 MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC onsemi	10 259 En stock	1 : 2,43000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,73246 € Bande et bobine	UltraFET™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	250 V	3 A (Ta)	6V, 10V	117mohms à 3A, 10V	4V à 250µA	45 nC @ 10 V	±20V	2610 pF @ 100 V	-	2,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	8-SOIC	8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
SI7439DP-T1-E3 MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	6 293 En stock	1 : 4,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 1,54386 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	150 V	3 A (Ta)	6V, 10V	90mohms à 5,2A, 10V	4V à 250µA	135 nC @ 10 V	±20V	-	-	1,9W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
DMG2301L-13 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Diodes Incorporated	14 489 En stock	1 : 0,22000 € Bande coupée (CT) 10 000 : 0,03711 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	120mohms à 2,8A, 4,5V	1,2V à 250µA	5.5 nC @ 4.5 V	±8V	476 pF @ 10 V	-	1,5W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG3401LSN-7 MOSFET P-CH 30V 3A SC59 Diodes Incorporated	25 848 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07491 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	2,5V, 10V	50mohms à 4A, 10V	1,3V à 250µA	25.1 nC @ 10 V	±12V	1326 pF @ 15 V	-	800mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SC-59-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SSM3K336R,LF MOSFET N-CH 30V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	6 650 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07926 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	95mohms à 2A, 10V	2,5V à 100µA	1.7 nC @ 4.5 V	±20V	126 pF @ 15 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3K344R,LF MOSFET N-CH 20V 3A SOT23F Toshiba Semiconductor and Storage	17 883 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08179 € Bande et bobine	U-MOSVII-H	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	71mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	2 nC @ 4 V	±8V	153 pF @ 10 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23F	SOT-23-3 broches plates
SSM3J135TU,LF MOSFET P-CH 20V 3A UFM Toshiba Semiconductor and Storage	5 569 En stock	1 : 0,43000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09301 € Bande et bobine	U-MOSVI	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	103mohms à 1A, 4,5V	1V à 1mA	4.6 nC @ 4.5 V	±8V	270 pF @ 10 V	-	500mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	UFM	3-SMD, broches plates
PMV90ENER MOSFET N-CHANNEL 30V 3A TO236AB Nexperia USA Inc.	2 012 En stock	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,09852 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	Canal N	MOSFET (oxyde métallique)	30 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	72mohms à 3A, 10V	2,5V à 250µA	5.5 nC @ 10 V	±20V	160 pF @ 15 V	-	460mW (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RQ5A030APTL MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 Rohm Semiconductor	8 067 En stock	1 : 0,48000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10966 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	12 V	3 A (Ta)	1,5V, 4,5V	62mohms à 3A, 4,5V	1V à 1mA	16 nC @ 4.5 V	-8V	2000 pF @ 6 V	-	1W (Ta)	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	TSMT3	SC-96
DMP2123L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	130 738 En stock	1 : 0,49000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,10816 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	72mohms à 3,5A, 4,5V	1,25V à 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2130L-7 MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Diodes Incorporated	8 120 En stock	1 : 0,54000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,12058 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	20 V	3 A (Ta)	2,5V, 4,5V	75mohms à 3,5A, 4,5V	1,25V à 250µA	7.3 nC @ 4.5 V	±12V	443 pF @ 16 V	-	1,4W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP6185SEQ-13 MOSFET P-CHANNEL 60V 3A SOT223 Diodes Incorporated	1 843 En stock	1 : 0,55000 € Bande coupée (CT) 2 500 : 0,12700 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	Canal P	MOSFET (oxyde métallique)	60 V	3 A (Ta)	4,5V, 10V	150mohms à 2,2A, 10V	3V à 250µA	14 nC @ 10 V	±20V	708 pF @ 30 V	-	2,2W (Ta)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-223-3	TO-261-4, TO-261AA

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FET simple, MOSFET

Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

MOSFET à canal N: où les électrons sont les principaux porteurs.
MOSFET à canal P: où les trous sont porteurs primaires.

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.

FET simple, MOSFET

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