Name: SQSA80ENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND
Price: 2.028 EUR
Availability: InStock

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SQSA80ENW-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	SQSA80ENW-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQSA80ENW-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQSA80ENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQSA80ENW-T1_GE3
Description	MOSFET N-CH 80V 18A PPAK1212-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	39 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 18 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQSA80ENW-T1_GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Série TrenchFET®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1358 pF @ 40 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 62,5W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® 1212-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 21mohms à 10A, 10V	Numéro de produit de base SQSA80
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA