
SQJB80EP-T1_GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SQJB80EP-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine SQJB80EP-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SQJB80EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQJB80EP-T1_GE3 |
Description | MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 32 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 80V 30 A (Tc) 48W Montage en surface powerPAK® SO-8 double |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQJB80EP-T1_GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | Vishay Siliconix | |
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Technologies | MOSFET (oxyde métallique) | |
Configuration | 2 canaux N (double) | |
Fonction FET | - | |
Tension drain-source (Vdss) | 80V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | 30 A (Tc) | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 19mohms à 8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 32nC à 10V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1400pF à 25V | |
Puissance - Max. | 48W | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grade | Automobile | |
Qualification | AEC-Q101 | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier | powerPAK® SO-8 double | |
Boîtier fournisseur | powerPAK® SO-8 double | |
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,36000 € | 1,36 € |
| 10 | 0,97000 € | 9,70 € |
| 100 | 0,67920 € | 67,92 € |
| 500 | 0,53754 € | 268,77 € |
| 1 000 | 0,49516 € | 495,16 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,43413 € | 1 302,39 € |
| 6 000 | 0,40502 € | 2 430,12 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,36000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,63200 € |










