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SQS401EN-T1_GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SQS401EN-T1_GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SQS401EN-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SQS401EN-T1_GE3 |
Description | MOSFET P-CH 40V 16A PPAK1212-8 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 40 V 16 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SQS401EN-T1_GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 21.2 nC @ 4.5 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1875 pF @ 20 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 62,5W (Tc) |
Statut du composant Obsolète | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 12A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SQS401EN-T1_BE3 | Vishay Siliconix | 30 212 | 742-SQS401EN-T1_BE3CT-ND | 1,33000 € | Direct |
| SQS411ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SQS411ENW-T1_GE3CT-ND | 1,22000 € | Direct |
Obsolète
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