Name: SQ2361CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2361CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.732 EUR
Availability: InStock

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SQ2361CES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2361CES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2361CES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2361CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2361CES-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 60 V 2,8 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 550 pF @ 30 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,8 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (max.) à Id, Vgs 177mohms à 2,4A, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA

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