Name: SQ2315CES-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND
Price: 0.648 EUR
Availability: OutOfStock

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Vishay Siliconix

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SQ2315CES-T1_GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SQ2315CES-T1_GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SQ2315CES-T1_GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SQ2315CES-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SQ2315CES-T1_GE3
Description	MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	24 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 12 V 5 A (Tc) 2W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SQ2315CES-T1_GE3 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 4.5 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 870 pF @ 6 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 2W (Tc)
Type de FET Canal P	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 12 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Rds On (max.) à Id, Vgs 50mohms à 3,5A, 4,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SQ2315ES-T1_BE3	Vishay Siliconix	2 986	742-SQ2315ES-T1_BE3CT-ND	0,78000 €	Équivalent paramétrique

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