
SI2329DS-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI2329DS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2329DS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2329DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2329DS-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 8V 6A SOT23-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 8 V 6 A (Tc) 2,5W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI2329DS-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 8 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,2V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 30mohms à 5,3A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 800mV à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 29 nC @ 4.5 V | |
Vgs (max.) | ±5V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1485 pF @ 4 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 2,5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | SOT-23-3 (TO-236) | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 0,60000 € | 0,60 € |
| 10 | 0,40300 € | 4,03 € |
| 100 | 0,33170 € | 33,17 € |
| 500 | 0,25514 € | 127,57 € |
| 1 000 | 0,23046 € | 230,46 € |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,19910 € | 597,30 € |
| 6 000 | 0,18330 € | 1 099,80 € |
| 9 000 | 0,16933 € | 1 523,97 € |
| 15 000 | 0,16622 € | 2 493,30 € |
| 21 000 | 0,16086 € | 3 378,06 € |
| 30 000 | 0,16084 € | 4 825,20 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 0,60000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 0,72000 € |










