Name: SI2323DDS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.924 EUR
Availability: InStock

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SI2323DDS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2323DDS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine 742-SI2323DDS-T1-BE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SI2323DDS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2323DDS-T1-BE3
Description	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 20 V 4,1A (Ta), 5,3A (Tc) 960mW (Ta), 1,7W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36 nC @ 8 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1160 pF @ 10 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 1,7W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,1A (Ta), 5,3A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,8V, 4,5V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 39mohm à 4,1A, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TSM260P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	17 484	1801-TSM260P02CXRFGCT-ND	0,73000 €	Similaire
TSM500P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	90 941	TSM500P02CXRFGCT-ND	0,59000 €	Similaire
TSM650P02CX RFG	Taiwan Semiconductor Corporation	49 287	TSM650P02CXRFGCT-ND	0,48000 €	Similaire

En stock: 2 978

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Quantité

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