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SI2308BDS-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Recommandation fabricant
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SI2308BDS-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI2308BDS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2308BDS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2308BDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI2308BDS-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 60 V 2,3 A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236) |
Modèles EDA/CAO | SI2308BDS-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.8 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 190 pF @ 30 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 60 V | Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236) |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 156mohms à 1,9A, 10V |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SI2308BDS-T1-BE3 | Vishay Siliconix | 10 | 742-SI2308BDS-T1-BE3CT-ND | 0,74000 € | Direct |
| SI2308CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 1 247 | SI2308CDS-T1-GE3CT-ND | 0,47000 € | Recommandation fabricant |
| AO3422 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 725 073 | 785-1015-1-ND | 0,53000 € | Similaire |
| NTR5198NLT1G | onsemi | 38 338 | NTR5198NLT1GOSCT-ND | 0,38000 € | Similaire |
| PJA3460_R1_00001 | Panjit International Inc. | 24 849 | 3757-PJA3460_R1_00001CT-ND | 0,27000 € | Similaire |
Obsolète
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