Name: SI2302CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2302CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 0.84 EUR
Availability: InStock

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SI2302CDS-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI2302CDS-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI2302CDS-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI2302CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2302CDS-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 2,6 A (Ta) 710mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI2302CDS-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 57mohms à 3,6A, 4,5V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 850mV à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.5 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±8V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 710mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,6 A (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SI2302

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Documents et supports

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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