Name: SI2122DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND
Price: 0.10901 EUR
Availability: OutOfStock

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SI2122DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

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Canal N 100 V 1,65A (Ta), 2,17A (Tc) 960mW (Ta), 1,6W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)

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SI2122DS-T1-BE3
Numéro de produit DigiKey	742-SI2122DS-T1-BE3TR-ND - Bande et bobine
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI2122DS-T1-BE3
Description	N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 1,65A (Ta), 2,17A (Tc) 960mW (Ta), 1,6W (Tc) Montage en surface SOT-23-3 (TO-236)
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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 2,5A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 210 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 960mW (Ta), 1,6W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,65A (Ta), 2,17A (Tc)	Boîtier fournisseur SOT-23-3 (TO-236)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
SI2122DS-T1-GE3	Vishay Siliconix	0	742-SI2122DS-T1-GE3TR-ND	0,13103 €	Équivalent paramétrique

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