Name: T2N7002BK,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: T2N7002BKLMTR-ND
Price: 0.168 EUR
Availability: InStock

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T2N7002BK,LM
Numéro de produit DigiKey	T2N7002BKLMTR-ND - Bande et bobine T2N7002BKLMCT-ND - Bande coupée (CT) T2N7002BKLMDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage
Numéro de produit du fabricant	T2N7002BK,LM
Description	MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 400mA (Ta) 320mW (Ta) Montage en surface SOT-23-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	T2N7002BK,LM Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,1V à 250µA
Fabricant Toshiba Semiconductor and Storage	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 0.6 nC @ 4.5 V
Série U-MOSVII-H	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 40 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 320mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Boîtier fournisseur SOT-23-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 400mA (Ta)	Boîtier TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base T2N7002
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 100mA, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Quantité

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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