Name: SI1012CR-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI1012CR-T1-GE3TR-ND
Price: 0.504 EUR
Availability: InStock

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SI1012CR-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SI1012CR-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI1012CR-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI1012CR-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI1012CR-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V SC75A
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 630mA (Ta) 240mW (Ta) Montage en surface SC-75A
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI1012CR-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 2 nC @ 8 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±8V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 43 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 240mW (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur SC-75A
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 630mA (Ta)	Boîtier SC-75, SOT-416
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 1,5V, 4,5V	Numéro de produit de base SI1012
Rds On (max.) à Id, Vgs 396mohms à 600mA, 4,5V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

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Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

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